STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 65 V Forbedring, 10 Ben, PowerSO-10RF, PD5

STMicroelectronics RF-effekttransistor er en common source N-kanal, enhancement-mode lateral felteffekt RF-effekt-MOSFET. Den er designet til kommercielle og industrielle anvendelser med høj forstærkning og bredbånd. Den fungerer ved 28 V i common source-tilstand ved frekvenser på op til 1 GHz. Enheden kan prale af den fremragende forstærkning, linearitet og pålidelighed ved ST's nyeste LDMOS-teknologi monteret i den første ægte SMD-plastik RF-effektpakke, PowerSO-10RF. Enhedens overlegne linearitet gør den til en ideel løsning til basestationsapplikationer. PowerSO-10-plastikpakken, der er designet til at give høj pålidelighed, er den første ST JEDEC-godkendte SMD-pakke med høj effekt. Den er specielt optimeret til RF-behov og tilbyder fremragende RF-egenskaber og nem montering. Anbefalinger til montering findes på www.st.com/rf/ (se applikationsnote AN1294).

Fremragende termisk stabilitet