STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 65 V Forbedring, 10 Ben, PowerSO-10RF, PD5
- RS-varenummer:
- 330-274
- Producentens varenummer:
- PD57060-E
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 626,90
(ekskl. moms)
Kr. 783,62
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 626,90 |
| 10 + | Kr. 564,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 330-274
- Producentens varenummer:
- PD57060-E
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 65V | |
| Emballagetype | PowerSO-10RF | |
| Serie | PD5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 10 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.76Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 79W | |
| Min. driftstemperatur | 65°C | |
| Driftstemperatur maks. | 165°C | |
| Højde | 3.6mm | |
| Standarder/godkendelser | ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS | |
| Længde | 14.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 65V | ||
Emballagetype PowerSO-10RF | ||
Serie PD5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 10 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.76Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 79W | ||
Min. driftstemperatur 65°C | ||
Driftstemperatur maks. 165°C | ||
Højde 3.6mm | ||
Standarder/godkendelser ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS | ||
Længde 14.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
STMicroelectronics RF-effekttransistor er en common source N-kanal, enhancement-mode lateral felteffekt RF-effekt-MOSFET. Den er designet til kommercielle og industrielle anvendelser med høj forstærkning og bredbånd. Den fungerer ved 28 V i common source-tilstand ved frekvenser på op til 1 GHz. Enheden kan prale af den fremragende forstærkning, linearitet og pålidelighed ved ST's nyeste LDMOS-teknologi monteret i den første ægte SMD-plastik RF-effektpakke, PowerSO-10RF. Enhedens overlegne linearitet gør den til en ideel løsning til basestationsapplikationer. PowerSO-10-plastikpakken, der er designet til at give høj pålidelighed, er den første ST JEDEC-godkendte SMD-pakke med høj effekt. Den er specielt optimeret til RF-behov og tilbyder fremragende RF-egenskaber og nem montering. Anbefalinger til montering findes på www.st.com/rf/ (se applikationsnote AN1294).
Fremragende termisk stabilitet
Fælles kildekonfiguration
Ny RF-plastikpakke