STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 10 A 800 V, 3 Ben, TO-220FP, STF
- RS-varenummer:
- 330-458
- Producentens varenummer:
- STF80N450K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 973,35
(ekskl. moms)
Kr. 1.216,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 19,467 | Kr. 973,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 330-458
- Producentens varenummer:
- STF80N450K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Serie | STF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 450mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 24.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 30.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bredde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Serie STF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 450mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 24.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 30.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.6mm | ||
Bredde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics højspændings N-kanal Power MOSFET er designet ved hjælp af den ultimative MDmesh K6-teknologi baseret på 20 års STMicroelectronics-erfaring med super junction-teknologi. Resultatet er den bedste modstand ved tænding pr. område og gate-opladning til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og høj effektivitet.
Ultra lav gate-ladning
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 800 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics N-Kanal 7 A 800 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics N-Kanal 16 A 800 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 800 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 800 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics N-Kanal 6 A 80 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH