Microchip Type N-Kanal, MOSFET 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, TN0604
- RS-varenummer:
- 333-281
- Producentens varenummer:
- TN0604N3-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 pose af 1000 enheder)*
Kr. 6.821,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.526,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Nyt produkt - forudbestil i dag
- Afsendelse fra 06. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pose* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 6,821 | Kr. 6.821,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 333-281
- Producentens varenummer:
- TN0604N3-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Serie | TN0604 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Serie TN0604 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchips Enhancement Mode-transistor bruger en lodret DMOS-struktur og en velafprøvet fremstillingsproces med siliciumgate. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Karakteristisk for alle MOS-strukturer er denne enhed fri for termisk rømning og termisk induceret sekundær sammenbrud.
1.6V maksimal lav tærskel
Høj indgangsimpedans
140 pF typisk lav indgangskapacitet
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundær nedbrydning
Lav indgangs- og udgangslækage