Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 3 A Forbedring, 3 Ben, TO-92

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 72,86

(ekskl. moms)

Kr. 91,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 20Kr. 7,286Kr. 72,86
30 - 90Kr. 6,882Kr. 68,82
100 +Kr. 6,373Kr. 63,73

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
177-9861
Elfa Distrelec varenummer:
304-38-568
Producentens varenummer:
TP0606N3-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3A

Emballagetype

TO-92

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Transistoren med lav tærskel og optimeret tilstand (normalt off) benytter en lodret DMOS-struktur og velafprøvet silicium-gate produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Vertikale DMOS FET’er er ideelt egnet til en bred vifte af switching- og forstærkningsopgaver, hvor meget lav tærskelspænding, høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder ønskes.

Lav tærskel - 2,0 V maks.

Høj indgangsimpedans

Lav indgangskapacitet - 100pF typisk

Hurtig omkoblingshastighed

Lav modstand ved tændt

Fri for sekundære nedbrud

Lav indgangs- og udgangslækstrøm

Relaterede links