Infineon Grøft Igbt 3 Type P-Kanal, MOSFET Udtømning, EasyPIM, FB50R07W2E3_B23

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 519,41

(ekskl. moms)

Kr. 649,26

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 15 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 519,41
10 +Kr. 467,57

*Vejledende pris

RS-varenummer:
348-972
Producentens varenummer:
FB50R07W2E3B23BOMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Serie

FB50R07W2E3_B23

Emballagetype

EasyPIM

Monteringstype

Skrueterminal

Kanalform

Udtømning

Min. driftstemperatur

-40°C

Effektafsættelse maks. Pd

20mW

Gennemgangsspænding Vf

1.95V

Transistorkonfiguration

Grøft Igbt 3

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC 60747, 60749, 60068

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Infineon EasyPIM 2B 650 V, 50 A Interleaved PFC Stage integrerer en ensretter, tokanals PFC og invertertrin i ét kompakt modul, hvilket giver en pladsbesparende løsning til kraftapplikationer. Den er designet med meget lav strøminduktans, hvilket sikrer minimalt strømtab og forbedret skifteeffektivitet. Den hurtige H5-teknologi forbedrer PFC-trinnet og giver højere effektivitet og hurtigere responstider. Dette modul understøtter højere skiftefrekvenser på op til 50 kHz for PFC-trinnet, hvilket giver bedre ydeevne i krævende applikationer. Trenchstop IGBT 3 og emitterstyrede 3 dioder forbedrer pålideligheden og driftseffektiviteten yderligere.

Kompakt design med Easy 2B-pakke

Bedste forhold mellem pris og ydelse, hvilket fører til reducerede systemomkostninger

Muliggør højfrekvent drift og reduceret kølebehov

Relaterede links