Infineon Type P-Kanal, MOSFET Udtømning, EasyPACK 2B, FS3L40R07W2H5F_B70 Nej FS3L40R07W2H5FB70BPSA1
- RS-varenummer:
- 348-982
- Producentens varenummer:
- FS3L40R07W2H5FB70BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 1.282,78
(ekskl. moms)
Kr. 1.603,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 1.282,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-982
- Producentens varenummer:
- FS3L40R07W2H5FB70BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Serie | FS3L40R07W2H5F_B70 | |
| Emballagetype | EasyPACK 2B | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.15V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | 60068, 60749, IEC 60747 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Serie FS3L40R07W2H5F_B70 | ||
Emballagetype EasyPACK 2B | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Kanalform Udtømning | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.15V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser 60068, 60749, IEC 60747 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyPACK 2B 650 V 40 A 3-Level NPC1 Full-Bridge IGBT-modul er designet til højeffektive effektapplikationer med CoolSiC Schottky Diode Gen 5 og TRENCHSTOP 5 H5-teknologi. Dette modul giver øget blokeringsspændingskapacitet på op til 650 V, hvilket giver forbedret ydeevne i krævende strømsystemer. Brugen af CoolSiC Schottky Diode Gen 5 sikrer minimalt effekttab og forbedret effektivitet i højhastigheds-switching-applikationer.
Muliggør højere frekvens
Enestående moduleffektivitet
Forbedring af systemets effektivitet
Fordele ved systemomkostninger
Reducerede krav til køling
Længere levetid og/eller højere effekttæthed
Relaterede links
- Infineon P-Kanal, MOSFET Depletion FF900R17ME7WB11BPSA1
- Infineon P-Kanal, MOSFET Depletion IFF750B12ME7B11BPSA1
- Infineon P-Kanal, MOSFET Depletion FB50R07W2E3C36BPSA1
- Infineon P-Kanal, MOSFET Depletion FB50R07W2E3B23BOMA1
- Infineon P-Kanal 1 Bakke, FZ1200 FZ1200R45HL4S7BPSA1
- Infineon P-Kanal 1 Bakke, FZ1200 FZ1200R45HL4BPSA1
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 3 4 8 ben IRF7343PbF IRF7343TRPBF
- Infineon Dual N-Kanal Bakke, FZ1000 FZ1000R65KE4NPSA1
