Infineon Halvbro N-kanal-Kanal, MOSFET-moduler, 60 A 1200 V Forbedring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- RS-varenummer:
- 762-949
- Producentens varenummer:
- F413MXTR12C1M2QH11BPSA1
- Brand:
- Infineon
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 1.538,51
(ekskl. moms)
Kr. 1.923,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 1.538,51 |
| 5 + | Kr. 1.492,32 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-949
- Producentens varenummer:
- F413MXTR12C1M2QH11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET-moduler | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | EasyPACK | |
| Serie | EasyPACK | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Benantal | 22 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.35V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.158μC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Halvbro | |
| Længde | 62.8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET-moduler | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype EasyPACK | ||
Serie EasyPACK | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Benantal 22 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.35V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.158μC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Halvbro | ||
Længde 62.8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyPACK-modulet har CoolSiC Trench MOSFET'er med en mærkespænding på 1200 V og strømstyrkekapacitet på maks. 50 A og 100 A. Den indeholder en integreret NTC-temperatursensor og robuste monteringsklemmer. Desuden viser pakken et komparativt sporingsindeks (CTI) større end 600 og en høj strømben.
Lavt induktivt design
Lavt skiftetab
Høj strømtæthed
PressFIT-kontaktteknologi
Relaterede links
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 95 A 1200 V Forbedring EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 60 A 1200 V Forbedring EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 100 A 1200 V Forbedring PG-TSDSO, EasyPACK
- Infineon Type N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1HP_B11
- Infineon Type N-Kanal 50 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1H_B70
- Infineon Type N-Kanal 65 A 1200 V Forbedring EasyPACK