Infineon N-Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Forbedring, EasyPACK, FF11MR12W2M1H_B70
- RS-varenummer:
- 348-975
- Producentens varenummer:
- FF11MR12W2M1HB70BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 810,23
(ekskl. moms)
Kr. 1.012,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 15 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 810,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-975
- Producentens varenummer:
- FF11MR12W2M1HB70BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | EasyPACK | |
| Serie | FF11MR12W2M1H_B70 | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | 23V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.35V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype EasyPACK | ||
Serie FF11MR12W2M1H_B70 | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Drain source modstand maks. Rds 20.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. 23V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.35V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module kombinerer banebrydende teknologi med overlegen design til højtydende strømapplikationer. Med klassens bedste indpakning og en kompakt højde på 12,25 mm optimerer den både plads og ydeevne. Modulet bruger det nyeste WBG-materiale (Wide Bandgap), som giver forbedret energieffektivitet, termisk ydeevne og pålidelighed. Den meget lave modul-stray-induktans minimerer effekttab og forbedrer koblingsadfærden.
Enestående moduleffektivitet
Fordele ved systemomkostninger
Forbedring af systemets effektivitet
Reducerede krav til køling
Muliggør højere frekvens
Forøgelse af effekttætheden
Bedre varmeledningsevne for DCB-materiale
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1HP_B11
- Infineon N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring F4-11MR12W2M1H_B70
- Infineon Halvbro N-Kanal 95 A 1200 V Forbedring EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbro N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring EasyPACK, EasyPACK
- Infineon N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring CoolSiC
- Infineon N-Kanal 50 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon N-Kanal 62.5 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon N-Kanal 65 A 1200 V Forbedring EasyPACK