Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Forbedring, EasyPACK, FF11MR12W2M1H_B70 Nej FF11MR12W2M1HB70BPSA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 1.986,19

(ekskl. moms)

Kr. 2.482,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 15 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 1.986,19

*Vejledende pris

RS-varenummer:
348-975
Producentens varenummer:
FF11MR12W2M1HB70BPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

75A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

EasyPACK

Serie

FF11MR12W2M1H_B70

Monteringstype

Skrueterminal

Drain source modstand maks. Rds

20.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

5.35V

Effektafsættelse maks. Pd

20mW

Portkildespænding maks.

23 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module kombinerer banebrydende teknologi med overlegen design til højtydende strømapplikationer. Med klassens bedste indpakning og en kompakt højde på 12,25 mm optimerer den både plads og ydeevne. Modulet bruger det nyeste WBG-materiale (Wide Bandgap), som giver forbedret energieffektivitet, termisk ydeevne og pålidelighed. Den meget lave modul-stray-induktans minimerer effekttab og forbedrer koblingsadfærden.

Enestående moduleffektivitet

Fordele ved systemomkostninger

Forbedring af systemets effektivitet

Reducerede krav til køling

Muliggør højere frekvens

Forøgelse af effekttætheden

Bedre varmeledningsevne for DCB-materiale

Relaterede links