Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Forbedring, EasyPACK, FF11MR12W2M1HP_B11 Nej FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
- RS-varenummer:
- 348-976
- Producentens varenummer:
- FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 1.455,52
(ekskl. moms)
Kr. 1.819,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 18 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 1.455,52 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-976
- Producentens varenummer:
- FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | EasyPACK | |
| Serie | FF11MR12W2M1HP_B11 | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.35V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype EasyPACK | ||
Serie FF11MR12W2M1HP_B11 | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Drain source modstand maks. Rds 23.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.35V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module er udviklet til højtydende strømapplikationer og tilbyder klassens bedste indpakning med en kompakt højde på 12 mm. Den udnytter avanceret WBG-materiale (Wide Bandgap), som giver forbedret energieffektivitet og termisk ydeevne. Modulet er designet med meget lav strøginduktans, hvilket minimerer effekttab og forbedrer skiftehastigheden.
Enestående moduleffektivitet
Fordele ved systemomkostninger
Forbedring af systemets effektivitet
Reducerede krav til køling
Muliggør højere frekvens
Forøgelse af effekttætheden
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1H_B70 Nej FF11MR12W2M1HB70BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring F4-11MR12W2M1H_B70 Nej F411MR12W2M1HB70BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring CoolSiC Trench MOSFET Nej F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring CoolSiC Nej FS33MR12W1M1HB70BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 62.5 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55 Nej FS13MR12W2M1HC55BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 50 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55 Nej FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 65 A 1200 V Forbedring EasyPACK Nej F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring F4-17MR12W1M1HP_B76 Nej F417MR12W1M1HPB76BPSA1
