Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Forbedring, EasyPACK, FF11MR12W2M1HP_B11
- RS-varenummer:
- 348-976
- Producentens varenummer:
- FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 1.157,98
(ekskl. moms)
Kr. 1.447,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 18 enhed(er) afsendes fra 30. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 1.157,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-976
- Producentens varenummer:
- FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | FF11MR12W2M1HP_B11 | |
| Emballagetype | EasyPACK | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.35V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie FF11MR12W2M1HP_B11 | ||
Emballagetype EasyPACK | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Drain source modstand maks. Rds 23.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.35V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module er udviklet til højtydende strømapplikationer og tilbyder klassens bedste indpakning med en kompakt højde på 12 mm. Den udnytter avanceret WBG-materiale (Wide Bandgap), som giver forbedret energieffektivitet og termisk ydeevne. Modulet er designet med meget lav strøginduktans, hvilket minimerer effekttab og forbedrer skiftehastigheden.
Enestående moduleffektivitet
Fordele ved systemomkostninger
Forbedring af systemets effektivitet
Reducerede krav til køling
Muliggør højere frekvens
Forøgelse af effekttætheden
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1H_B70
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring F4-11MR12W2M1H_B70
- Infineon Type N-Kanal 50 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Type N-Kanal 62.5 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Type N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 65 A 1200 V Forbedring EasyPACK
- Infineon Type N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring CoolSiC Trench MOSFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring F4-8MR12W2M1H_B70
