Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Forbedring, EasyPACK, F4-11MR12W2M1H_B70

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 2.134,49

(ekskl. moms)

Kr. 2.668,11

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 15 enhed(er) afsendes fra 30. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 2.134,49

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-249
Producentens varenummer:
F411MR12W2M1HB70BPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

75A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

F4-11MR12W2M1H_B70

Emballagetype

EasyPACK

Monteringstype

Skrueterminal

Drain source modstand maks. Rds

20.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

5.35V

Min. driftstemperatur

-40°C

Portkildespænding maks.

23 V

Effektafsættelse maks. Pd

20mW

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET fourpack-modul 1200 V, 11 mΩ G1 med NTC, PressFIT-kontaktteknologi og aluminiumnitridkeramik. MOSFET'en er designet med klassens bedste indpakning med en kompakt højde på 12,25 mm, hvilket optimerer pladsen og samtidig opretholder en enestående ydeevne. Den indeholder avancerede Wide Bandgap-materialer, der giver overlegen effektivitet og pålidelighed i krævende applikationer. Modulet er konstrueret med meget lav stray-induktans, hvilket minimerer effekttab og forbedrer den samlede switching-ydelse.

Enestående moduleffektivitet

Fordele ved systemomkostninger

Forbedring af systemets effektivitet

Reducerede krav til køling

Muliggør højere frekvens

Forøgelse af effekttætheden

Bedre varmeledningsevne for DCB-materiale

Relaterede links