Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Forbedring, EasyPACK, F4-8MR12W2M1H_B70 Nej F48MR12W2M1HB70BPSA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 3.300,41

(ekskl. moms)

Kr. 4.125,51

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 15 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 3.300,41

*Vejledende pris

RS-varenummer:
348-969
Producentens varenummer:
F48MR12W2M1HB70BPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

F4-8MR12W2M1H_B70

Emballagetype

EasyPACK

Monteringstype

Skrueterminal

Drain source modstand maks. Rds

15.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

5.35V

Effektafsættelse maks. Pd

20mW

Portkildespænding maks.

23 V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC 60747, 60068, 60749

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET firepakkemodul 1200 V, 8 mΩ G1 med NTC, PressFIT-kontaktteknologi og aluminiumnitridkeramik. Denne MOSFET tilbyder klassens bedste indpakning med en kompakt højde på 12 mm, hvilket optimerer både plads og ydeevne. Den har førende Wide Bandgap (WBG)-materialer, der giver overlegen effektivitet og effekthåndtering. Designet indeholder meget lav modul-stray-induktans, hvilket minimerer effekttab og forbedrer koblingsdynamikken. Den drives af Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1 og leverer fremragende termisk ydeevne og pålidelighed.

Enestående moduleffektivitet

Fordele ved systemomkostninger

Forbedring af systemets effektivitet

Reducerede krav til køling

Muliggør højere frekvens

Forøgelse af effekttætheden

Relaterede links