Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Forbedring, EasyPACK, F4-8MR12W2M1H_B70
- RS-varenummer:
- 348-969
- Producentens varenummer:
- F48MR12W2M1HB70BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 2.482,31
(ekskl. moms)
Kr. 3.102,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 15 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 2.482,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-969
- Producentens varenummer:
- F48MR12W2M1HB70BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | EasyPACK | |
| Serie | F4-8MR12W2M1H_B70 | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.35V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 60747, 60068, 60749 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype EasyPACK | ||
Serie F4-8MR12W2M1H_B70 | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Drain source modstand maks. Rds 15.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.35V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 60747, 60068, 60749 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET firepakkemodul 1200 V, 8 mΩ G1 med NTC, PressFIT-kontaktteknologi og aluminiumnitridkeramik. Denne MOSFET tilbyder klassens bedste indpakning med en kompakt højde på 12 mm, hvilket optimerer både plads og ydeevne. Den har førende Wide Bandgap (WBG)-materialer, der giver overlegen effektivitet og effekthåndtering. Designet indeholder meget lav modul-stray-induktans, hvilket minimerer effekttab og forbedrer koblingsdynamikken. Den drives af Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1 og leverer fremragende termisk ydeevne og pålidelighed.
Enestående moduleffektivitet
Fordele ved systemomkostninger
Forbedring af systemets effektivitet
Reducerede krav til køling
Muliggør højere frekvens
Forøgelse af effekttætheden
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring F4-17MR12W1M1H_B76
- Infineon Type N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring F4-17MR12W1M1HP_B76
- Infineon Type N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring F4-17MR12W1M1HP_B76
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring F4-11MR12W2M1H_B70
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 95 A 1200 V Forbedring EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 60 A 1200 V Forbedring EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Type N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1HP_B11