Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V Forbedring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1HP_B76
- RS-varenummer:
- 348-968
- Producentens varenummer:
- F433MR12W1M1HB76BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 699,98
(ekskl. moms)
Kr. 874,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 24 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 699,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-968
- Producentens varenummer:
- F433MR12W1M1HB76BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | F4-17MR12W1M1HP_B76 | |
| Emballagetype | EasyPACK | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Drain source modstand maks. Rds | 69.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.35V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie F4-17MR12W1M1HP_B76 | ||
Emballagetype EasyPACK | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Drain source modstand maks. Rds 69.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.35V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET fourpack-modul 1200 V, 33 mΩ G1 med NTC- og PressFIT-kontaktteknologi. Denne MOSFET har klassens bedste indpakning med en kompakt højde på 12 mm, hvilket giver effektiv pladsudnyttelse uden at gå på kompromis med ydeevnen. Den indeholder avancerede WBG-materialer (Wide Bandgap), der sikrer forbedret effektivitet og forbedret effekthåndtering. Designet har også en meget lav modul-stray-induktans, som reducerer effekttabet og optimerer switching-ydelsen.
Enestående moduleffektivitet
Fordele ved systemomkostninger
Forbedring af systemets effektivitet
Reducerede krav til køling
Muliggør højere frekvens
Forøgelse af effekttætheden
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring F4-17MR12W1M1HP_B76
- Infineon Type N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring F4-17MR12W1M1H_B76
- Infineon Type N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring F4-8MR12W2M1H_B70
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring F4-11MR12W2M1H_B70
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 95 A 1200 V Forbedring EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 60 A 1200 V Forbedring EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Type N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1HP_B11