Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V Forbedring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1HP_B76

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 740,52

(ekskl. moms)

Kr. 925,65

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 24 enhed(er) afsendes fra 30. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 740,52

*Vejledende pris

RS-varenummer:
348-968
Producentens varenummer:
F433MR12W1M1HB76BPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

25A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

F4-17MR12W1M1HP_B76

Emballagetype

EasyPACK

Monteringstype

Skrueterminal

Drain source modstand maks. Rds

69.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

5.35V

Portkildespænding maks.

23 V

Effektafsættelse maks. Pd

20mW

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET fourpack-modul 1200 V, 33 mΩ G1 med NTC- og PressFIT-kontaktteknologi. Denne MOSFET har klassens bedste indpakning med en kompakt højde på 12 mm, hvilket giver effektiv pladsudnyttelse uden at gå på kompromis med ydeevnen. Den indeholder avancerede WBG-materialer (Wide Bandgap), der sikrer forbedret effektivitet og forbedret effekthåndtering. Designet har også en meget lav modul-stray-induktans, som reducerer effekttabet og optimerer switching-ydelsen.

Enestående moduleffektivitet

Fordele ved systemomkostninger

Forbedring af systemets effektivitet

Reducerede krav til køling

Muliggør højere frekvens

Forøgelse af effekttætheden

Relaterede links