Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Forbedring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55 Nej FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
- RS-varenummer:
- 348-980
- Producentens varenummer:
- FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 3.283,31
(ekskl. moms)
Kr. 4.104,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 18 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 3.283,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-980
- Producentens varenummer:
- FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | EasyPACK | |
| Serie | FS13MR12W2M1H_C55 | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Drain source modstand maks. Rds | 25mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.35V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype EasyPACK | ||
Serie FS13MR12W2M1H_C55 | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Drain source modstand maks. Rds 25mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.35V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET Six-Pack Module indeholder CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1-teknologi, der giver en enestående ydeevne til strømforsyningsapplikationer. Den kommer i klassens bedste pakke med en kompakt højde på 12 mm, hvilket sikrer effektiv pladsudnyttelse og samtidig opretholder en høj ydeevne. Modulet bruger førende Wide Bandgap (WBG)-materialer, der giver overlegen effektivitet og varmestyring.
Enestående moduleffektivitet
Fordele ved systemomkostninger
Forbedring af systemets effektivitet
Reducerede krav til køling
Muliggør højere frekvens
Forøgelse af effekttætheden
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 62.5 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55 Nej FS13MR12W2M1HC55BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring CoolSiC Nej FS33MR12W1M1HB70BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1HP_B11 Nej FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1H_B70 Nej FF11MR12W2M1HB70BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 65 A 1200 V Forbedring EasyPACK Nej F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring CoolSiC Trench MOSFET Nej F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring F4-17MR12W1M1HP_B76 Nej F417MR12W1M1HPB76BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring F4-11MR12W2M1H_B70 Nej F411MR12W2M1HB70BPSA1
