Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Forbedring, EasyPACK, CoolSiC Trench MOSFET Nej F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- RS-varenummer:
- 348-971
- Producentens varenummer:
- F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 2.996,24
(ekskl. moms)
Kr. 3.745,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 18 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 2.996,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-971
- Producentens varenummer:
- F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | EasyPACK | |
| Serie | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.35V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype EasyPACK | ||
Serie CoolSiC Trench MOSFET | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Drain source modstand maks. Rds 17.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.35V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET Fourpack Module er konstrueret til højtydende effektapplikationer og indeholder klassens bedste emballage med en kompakt højde på 12 mm for effektiv pladsudnyttelse. Den har det førende Wide Bandgap (WBG)-materiale, som forbedrer strømeffektiviteten og den termiske ydeevne. Med meget lav induktans minimerer dette modul effekttab og forbedrer skiftehastigheden for mere effektiv drift.
Enestående moduleffektivitet
Fordele ved systemomkostninger
Forbedring af systemets effektivitet
Reducerede krav til køling
Muliggør højere frekvens
Forøgelse af effekttætheden
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring CoolSiC Nej FS33MR12W1M1HB70BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 150 A 1200 V Forbedring CoolSiC Trench MOSFET Nej FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon EVAL2ED3146MC12LTOBO1 Evalueringskort Evalueringskort til Two Infineon IMZA120R020M1H CoolSiC 1200 V SiC Trench
- Infineon Type N-Kanal 62.5 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55 Nej FS13MR12W2M1HC55BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 50 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55 Nej FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1HP_B11 Nej FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1H_B70 Nej FF11MR12W2M1HB70BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 65 A 1200 V Forbedring EasyPACK Nej F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
