Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Forbedring, EasyPACK, CoolSiC Trench MOSFET
- RS-varenummer:
- 348-971
- Producentens varenummer:
- F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 2.383,88
(ekskl. moms)
Kr. 2.979,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 18 enhed(er) afsendes fra 30. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 2.383,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-971
- Producentens varenummer:
- F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | EasyPACK | |
| Serie | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.35V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype EasyPACK | ||
Serie CoolSiC Trench MOSFET | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Drain source modstand maks. Rds 17.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.35V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET Fourpack Module er konstrueret til højtydende effektapplikationer og indeholder klassens bedste emballage med en kompakt højde på 12 mm for effektiv pladsudnyttelse. Den har det førende Wide Bandgap (WBG)-materiale, som forbedrer strømeffektiviteten og den termiske ydeevne. Med meget lav induktans minimerer dette modul effekttab og forbedrer skiftehastigheden for mere effektiv drift.
Enestående moduleffektivitet
Fordele ved systemomkostninger
Forbedring af systemets effektivitet
Reducerede krav til køling
Muliggør højere frekvens
Forøgelse af effekttætheden
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 150 A 1200 V Forbedring CoolSiC Trench MOSFET
- Infineon Evalueringskort Evalueringskort til Two Infineon IMZA120R020M1H CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFETs til
- Infineon Type N-Kanal 50 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Type N-Kanal 62.5 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1HP_B11
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1H_B70
- Infineon Type N-Kanal 65 A 1200 V Forbedring EasyPACK
