Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 150 A 1200 V Forbedring, EasyDUAL, CoolSiC Trench MOSFET Nej FF6MR12W2M1HPB11BPSA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 2.683,52

(ekskl. moms)

Kr. 3.354,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 18 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 2.683,52

*Vejledende pris

RS-varenummer:
348-978
Producentens varenummer:
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

150A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

EasyDUAL

Serie

CoolSiC Trench MOSFET

Monteringstype

Skrueterminal

Drain source modstand maks. Rds

11.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Portkildespænding maks.

23 V

Gennemgangsspænding Vf

5.35V

Effektafsættelse maks. Pd

20mW

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module er designet til at levere højtydende strømløsninger med klassens bedste indpakning, der har en kompakt højde på 12 mm for effektiv pladsudnyttelse. Modulet indeholder avancerede Wide Bandgap (WBG)-materialer, der giver overlegen effektivitet, pålidelighed og termisk ydeevne. Med meget lav strøminduktans i modulet sikrer den minimalt effekttab og forbedret koblingsdynamik. Modulet drives af Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1, der giver forbedret termisk styring og effektivitet, hvilket gør det ideelt til krævende strømapplikationer.

Enestående moduleffektivitet

Fordele ved systemomkostninger

Forbedring af systemets effektivitet

Reducerede krav til køling

Muliggør højere frekvens

Forøgelse af effekttætheden

Relaterede links