Infineon N-Kanal, MOSFET, 150 A 1200 V Forbedring, EasyDUAL, CoolSiC Trench MOSFET
- RS-varenummer:
- 348-978
- Producentens varenummer:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 1.045,40
(ekskl. moms)
Kr. 1.306,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 18 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 1.045,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-978
- Producentens varenummer:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 150A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Emballagetype | EasyDUAL | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | 23V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.35V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie CoolSiC Trench MOSFET | ||
Emballagetype EasyDUAL | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. 23V | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.35V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module er designet til at levere højtydende strømløsninger med klassens bedste indpakning, der har en kompakt højde på 12 mm for effektiv pladsudnyttelse. Modulet indeholder avancerede Wide Bandgap (WBG)-materialer, der giver overlegen effektivitet, pålidelighed og termisk ydeevne. Med meget lav strøminduktans i modulet sikrer den minimalt effekttab og forbedret koblingsdynamik. Modulet drives af Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1, der giver forbedret termisk styring og effektivitet, hvilket gør det ideelt til krævende strømapplikationer.
Enestående moduleffektivitet
Fordele ved systemomkostninger
Forbedring af systemets effektivitet
Reducerede krav til køling
Muliggør højere frekvens
Forøgelse af effekttætheden
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 200 A 1200 V Forbedring CoolSiCTM Trench MOSFET
- Infineon N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring CoolSiC Trench MOSFET
- Infineon N-Kanal 50 A 1200 V Forbedring AG-EASY1B, EasyDUAL
- Infineon N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring CoolSiC
- Infineon N-Kanal 89 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon N-Kanal 60 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon N-Kanal 52 A 1200 V Forbedring TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 36 A 1200 V Forbedring TO-247, CoolSiC AEC-Q101