Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 150 A 1200 V Forbedring, EasyDUAL, CoolSiC Trench MOSFET
- RS-varenummer:
- 348-978
- Producentens varenummer:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 2.018,63
(ekskl. moms)
Kr. 2.523,29
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 18 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 2.018,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-978
- Producentens varenummer:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 150A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | EasyDUAL | |
| Serie | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.35V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype EasyDUAL | ||
Serie CoolSiC Trench MOSFET | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.35V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module er designet til at levere højtydende strømløsninger med klassens bedste indpakning, der har en kompakt højde på 12 mm for effektiv pladsudnyttelse. Modulet indeholder avancerede Wide Bandgap (WBG)-materialer, der giver overlegen effektivitet, pålidelighed og termisk ydeevne. Med meget lav strøminduktans i modulet sikrer den minimalt effekttab og forbedret koblingsdynamik. Modulet drives af Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1, der giver forbedret termisk styring og effektivitet, hvilket gør det ideelt til krævende strømapplikationer.
Enestående moduleffektivitet
Fordele ved systemomkostninger
Forbedring af systemets effektivitet
Reducerede krav til køling
Muliggør højere frekvens
Forøgelse af effekttætheden
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 200 A 1200 V Forbedring CoolSiCTM Trench MOSFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring CoolSiC Trench MOSFET
- Infineon Type N-Kanal 50 A 1200 V Forbedring AG-EASY1B, EasyDUAL
- Infineon Type N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 60 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon Type N-Kanal 89 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon Type N-Kanal 52 A 1200 V Forbedring TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 36 A 1200 V Forbedring TO-247, CoolSiC AEC-Q101