Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 52 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 233-3486
- Producentens varenummer:
- AIMW120R035M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 240 enheder)*
Kr. 31.065,12
(ekskl. moms)
Kr. 38.831,52
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 240 + | Kr. 129,438 | Kr. 31.065,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-3486
- Producentens varenummer:
- AIMW120R035M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 52A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 228W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 59nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 5.3mm | |
| Længde | 16.3mm | |
| Bredde | 21.5 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 52A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 228W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 59nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 5.3mm | ||
Længde 16.3mm | ||
Bredde 21.5 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon CoolSiC MOSFET'er til automotive-serien er udviklet til nuværende og fremtidige anvendelser inden for indbygget oplader og DC-DC i hybrid- og elbiler. Den har 52 A drænstrøm.
Forbedring af effektiviteten
Aktiverer højere frekvens
Forøget effekttæthed
Reduktion af køleeffekt
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 52 A 1200 V TO-247, CoolSiC AIMW120R035M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 52 A 1200 V TO-247, CoolSiC AIMW120R045M1XKSA1
- Infineon N-Kanal 36 A 1200 V TO-247, CoolSiC AIMW120R060M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 34 A 1200 V TO-247, CoolSiC AIMW120R080M1XKSA1
- Infineon N-Kanal 52 A 1200 V TO-247, IMW1 IMW120R045M1XKSA1
- Infineon N-Kanal 52 A 1200 V TO-247-4, IMZ1 IMZ120R045M1XKSA1
- Infineon N-Kanal 47 A 650 V TO-247, CoolSiC IMW65R027M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 26 A 650 V TO-247, CoolSiC IMW65R072M1HXKSA1
