Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 52 A 75 V, 3 Ben, TO-247, CoolSiC AEC-Q101 AIMW120R045M1XKSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 161,56

(ekskl. moms)

Kr. 201,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 610 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 161,56
5 - 9Kr. 153,49
10 - 24Kr. 150,27
25 - 49Kr. 140,55
50 +Kr. 132,47

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
244-2910
Producentens varenummer:
AIMW120R045M1XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

52A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Emballagetype

TO-247

Serie

CoolSiC

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

57nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gennemgangsspænding Vf

5.2V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

16.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

21.5 mm

Højde

5.3mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon AIMW120R045M1XKSA1 er specielt designet til at opfylde de høje krav, som bilindustrien stiller med hensyn til pålidelighed, kvalitet og ydeevne. Forøgelsen af skiftefrekvensen for en konverter, der anvender CoolSiC MOSFET'er, kan resultere i en drastisk reduktion af volumen og vægt for de magnetiske komponenter med op til 25 %, hvilket giver en betydelig forøgelse af omkostningerne ved selve anvendelsen. Forøgelsen af ydeevnen opfylder nye reguleringsstandarder med hensyn til højere krav til effektivitet for elektriske køretøjer.

Revolutionerende halvledermateriale - siliciumkarbid  meget lave tab ved skift

Tærskelfri ON-tilstand karakteristik  IGBT-kompatibel driftsspænding (15V for tænd)

0V Sluk for gate-spænding

Benchmark gate-tærskelspænding, VGS(th) = 4,5V

Fuldt kontrollerbar dv/dt

Kommuteret robust husdiode, klar til synkron ensretning, temperaturuafhængig afbrydelse af kontakttab

Relaterede links