Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 52 A 75 V, 3 Ben, TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-2910
- Producentens varenummer:
- AIMW120R045M1XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 141,82
(ekskl. moms)
Kr. 177,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 610 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 141,82 |
| 5 - 9 | Kr. 134,71 |
| 10 - 24 | Kr. 131,87 |
| 25 - 49 | Kr. 123,42 |
| 50 + | Kr. 116,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-2910
- Producentens varenummer:
- AIMW120R045M1XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 52A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 57nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 5.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 21.5 mm | |
| Længde | 16.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 52A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 57nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 5.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 21.5 mm | ||
Længde 16.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon AIMW120R045M1XKSA1 er specielt designet til at opfylde de høje krav, som bilindustrien stiller med hensyn til pålidelighed, kvalitet og ydeevne. Forøgelsen af skiftefrekvensen for en konverter, der anvender CoolSiC MOSFET'er, kan resultere i en drastisk reduktion af volumen og vægt for de magnetiske komponenter med op til 25 %, hvilket giver en betydelig forøgelse af omkostningerne ved selve anvendelsen. Forøgelsen af ydeevnen opfylder nye reguleringsstandarder med hensyn til højere krav til effektivitet for elektriske køretøjer.
Revolutionerende halvledermateriale - siliciumkarbid meget lave tab ved skift
Tærskelfri ON-tilstand karakteristik IGBT-kompatibel driftsspænding (15V for tænd)
0V Sluk for gate-spænding
Benchmark gate-tærskelspænding, VGS(th) = 4,5V
Fuldt kontrollerbar dv/dt
Kommuteret robust husdiode, klar til synkron ensretning, temperaturuafhængig afbrydelse af kontakttab
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 52 A 75 V TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 52 A 1200 V Forbedring TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 33 A 1200 V Forbedring TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 36 A 1200 V Forbedring TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 52 A 75 V N TO-247, IMW
- Infineon Type N-Kanal 52 A 75 V P TO-247, IMW
- Infineon Type N-Kanal 75 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 17 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100