Infineon N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 52 A 25 V Forbedring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 76,28

(ekskl. moms)

Kr. 95,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 76,28
10 - 49Kr. 61,76
50 - 99Kr. 47,33
100 +Kr. 37,88

*Vejledende pris

RS-varenummer:
762-927
Producentens varenummer:
IMZC140R038M2HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

52A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Emballagetype

TO-247-4

Serie

CoolSiC

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

38mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

242W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

41nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

5.1mm

Længde

23.5mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineon CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 er en siliciumkarbid-MOSFET med .XT-sammenkoblingsteknologi. Den bruger .XT-sammenkoblingsteknologi for bedste termisk ydeevne i klassen og robust husdiode til hård kommutation.

Drift ved høje temperaturer

Velegnet til hård kommutation

Pålidelig varmestyring

Forbedret ydeevne

Øget effektivitet

Optimeret gate-drev

Velegnet til kraftelektronik

Relaterede links