Infineon N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 112 A 400 V Forbedring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 122,73

(ekskl. moms)

Kr. 153,41

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 122,73
10 - 24Kr. 110,49
25 +Kr. 90,80

*Vejledende pris

RS-varenummer:
762-967
Producentens varenummer:
IMZA40R011M2HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

112A

Drain source spænding maks. Vds

400V

Serie

CoolSiC

Emballagetype

TO-247-4

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

11.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

4.3V

Effektafsættelse maks. Pd

341W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

85nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

21.1mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

5.1mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineon CoolSiC MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning og synkronretning. Den anvender .XT-sammenkoblingsteknologi for den bedste termiske ydeevne i klassen og den anbefalede gate-driftsspænding 0 V til 18 V.

Robust, hurtig body-diode med omskiftning

100% lavine testet

Kvalificeret til industrielle anvendelser

400V driftsspænding

Relaterede links