Infineon N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 99 A 400 V Forbedring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 92,29

(ekskl. moms)

Kr. 115,36

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 92,29
10 - 24Kr. 83,11
25 +Kr. 68,32

*Vejledende pris

RS-varenummer:
762-902
Producentens varenummer:
IMZA40R015M2HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

99A

Drain source spænding maks. Vds

400V

Serie

CoolSiC

Emballagetype

TO-247-4

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

15mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

62nC

Effektafsættelse maks. Pd

273W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

4.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

21.1mm

Højde

5.1mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineon CoolSiC MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning og synkronretning og har Benchmark gate tærskelspænding. Desuden er den udstyret med XT-sammenkoblingsteknologi for den bedste termiske ydeevne i klassen.

100% lavine testet

Anbefalet gate-drivspænding

Kvalificeret til industrielle anvendelser

Anvendes til energilagring, UPS og batteridannelse

Relaterede links