Infineon N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 26.6 A 650 V Forbedring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 762-920
- Producentens varenummer:
- IMZA65R075M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 50,79
(ekskl. moms)
Kr. 63,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 50,79 |
| 10 - 99 | Kr. 33,73 |
| 100 - 479 | Kr. 27,30 |
| 480 - 1199 | Kr. 24,24 |
| 1200 + | Kr. 21,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-920
- Producentens varenummer:
- IMZA65R075M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | TO-247-4 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 95mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 111W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 21.1mm | |
| Højde | 5.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype TO-247-4 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 95mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 111W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 21.1mm | ||
Højde 5.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolSiC MOSFET leverer uovertruffen ydeevne, overlegen pålidelighed og stor brugervenlighed. Det muliggør omkostningseffektive, meget effektive og forenklede design til at opfylde det stadigt voksende system og markedets behov.
Meget lave skiftetab
Forbedrer systemets robusthed og pålidelighed
Giver stor brugervenlighed og integration
Reducerer systemernes størrelse, vægt og materialer
Relaterede links
- Infineon N-kanal-Kanal 74 A 650 V Forbedring TO-247, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 46 A 400 V Forbedring TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 40 A 400 V Forbedring TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 65 A 400 V Forbedring TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 99 A 400 V Forbedring TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 112 A 400 V Forbedring TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 74 A 1400 V Forbedring TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal-Kanal 92 A 25 V Forbedring TO-247-4, CoolSiC