Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC AEC-Q101 AIMW120R080M1XKSA1
- RS-varenummer:
- 233-3491
- Producentens varenummer:
- AIMW120R080M1XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 103,78
(ekskl. moms)
Kr. 129,72
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 46 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 103,78 |
| 5 - 9 | Kr. 98,51 |
| 10 - 24 | Kr. 96,57 |
| 25 - 49 | Kr. 90,28 |
| 50 + | Kr. 84,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-3491
- Producentens varenummer:
- AIMW120R080M1XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 80mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 5.3mm | |
| Bredde | 21.5 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 16.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie CoolSiC | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 80mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 5.3mm | ||
Bredde 21.5 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 16.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon CoolSiC MOSFET'er til automotive-serien er udviklet til nuværende og fremtidige indbyggede opladere og DC-DC-anvendelser i hybrid- og elbiler. Den har 33 A drænstrøm.
Forbedring af effektiviteten
Aktiverer højere frekvens
Forøget effekttæthed
Reduktion af køleeffekt
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 34 A 1200 V TO-247, CoolSiC AIMW120R080M1XKSA1
- Infineon N-Kanal 36 A 1200 V TO-247, CoolSiC AIMW120R060M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 52 A 1200 V TO-247, CoolSiC AIMW120R045M1XKSA1
- Infineon N-Kanal 52 A 1200 V TO-247, CoolSiC AIMW120R035M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 47 A 650 V TO-247, CoolSiC IMW65R027M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 26 A 650 V TO-247, CoolSiC IMW65R072M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 39 A 650 V TO-247, CoolSiC IMW65R048M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 46 A 650 V TO-247, CoolSiC IMW65R039M1HXKSA1
