Infineon N-Kanal, MOSFET, 200 A 1200 V Forbedring, EasyDUAL, CoolSiCTM Trench MOSFET
- RS-varenummer:
- 349-253
- Producentens varenummer:
- FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 1.580,37
(ekskl. moms)
Kr. 1.975,46
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 14 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 1.580,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-253
- Producentens varenummer:
- FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | EasyDUAL | |
| Serie | CoolSiCTM Trench MOSFET | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 23V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.35V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype EasyDUAL | ||
Serie CoolSiCTM Trench MOSFET | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 23V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.35V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET-halvbro-modulet er et 1200 V-modul med en lav 4 mΩ gatemodstand G1 og er udstyret med en integreret NTC-temperatursensor til præcis termisk overvågning. Den omfatter også et præappliceret termisk grænseflademateriale til forbedret varmeafledning og bruger PressFIT-kontaktteknologi, der sikrer pålidelige og effektive elektriske forbindelser. Dette modul er designet til højtydende applikationer, hvor effektiv strømkonvertering og termisk styring er afgørende.
Robust montering takket være integrerede monteringsklemmer
PressFIT-kontaktteknologi
Integreret NTC-temperatursensor
Forud påført termisk grænseflademateriale
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 150 A 1200 V Forbedring CoolSiC Trench MOSFET
- Infineon N-Kanal 50 A 1200 V Forbedring AG-EASY1B, EasyDUAL
- Infineon N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring CoolSiC Trench MOSFET
- Infineon N-Kanal 185 A 1200 V Forbedring
- Infineon N-Kanal 280 A 1200 V Forbedring
- Infineon N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring CoolSiC
- Infineon N-Kanal 50 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon N-Kanal 62.5 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55