Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 200 A 1200 V Forbedring, EasyDUAL, CoolSiCTM Trench MOSFET Nej FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 3.380,84

(ekskl. moms)

Kr. 4.226,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 18 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 3.380,84

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-253
Producentens varenummer:
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

200A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

EasyDUAL

Serie

CoolSiCTM Trench MOSFET

Monteringstype

Skrueterminal

Drain source modstand maks. Rds

8.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

5.35V

Effektafsættelse maks. Pd

20mW

Portkildespænding maks.

23 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET-halvbro-modulet er et 1200 V-modul med en lav 4 mΩ gatemodstand G1 og er udstyret med en integreret NTC-temperatursensor til præcis termisk overvågning. Den omfatter også et præappliceret termisk grænseflademateriale til forbedret varmeafledning og bruger PressFIT-kontaktteknologi, der sikrer pålidelige og effektive elektriske forbindelser. Dette modul er designet til højtydende applikationer, hvor effektiv strømkonvertering og termisk styring er afgørende.

Robust montering takket være integrerede monteringsklemmer

PressFIT-kontaktteknologi

Integreret NTC-temperatursensor

Forud påført termisk grænseflademateriale

Relaterede links