Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 280 A 1200 V Forbedring Nej FF3MR12KM1HPHPSA1
- RS-varenummer:
- 349-316
- Producentens varenummer:
- FF3MR12KM1HPHPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 5.053,01
(ekskl. moms)
Kr. 6.316,26
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 8 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 5.053,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-316
- Producentens varenummer:
- FF3MR12KM1HPHPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 280A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.32mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.59V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | 60749, 60068, IEC 60747 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 280A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.32mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.59V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser 60749, 60068, IEC 60747 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- HU
Infineons 62 mm CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module er designet i det velkendte 62 mm hus og integrerer M1H-chipteknologi til højtydende effektanvendelser. Dette modul har en høj strømtæthed, hvilket gør det ideelt til systemer med begrænset plads, der kræver robust ydeevne. Med lave koblingstab sikrer den større effektivitet ved høje koblingsfrekvenser. Den overlegne gateoxid-pålidelighed forbedrer holdbarheden og forlænger modulets levetid under krævende forhold.
Minimerer indsatsen for køling
Reduktion i volumen og størrelse
Reducerede systemomkostninger
Symmetrisk moduldesign
Standard konstruktionsteknik
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 185 A 1200 V Forbedring Nej FF3MR12KM1HHPSA1
- Infineon Type N-Kanal 150 A 1200 V Forbedring CoolSiC Trench MOSFET Nej FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 200 A 1200 V Forbedring CoolSiCTM Trench MOSFET Nej FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring CoolSiC Trench MOSFET Nej F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring CoolSiC Nej FS33MR12W1M1HB70BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 62.5 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55 Nej FS13MR12W2M1HC55BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 50 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55 Nej FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1HP_B11 Nej FF11MR12W2M1HPB11BPSA1