Infineon N-Kanal, MOSFET, 280 A 1200 V Forbedring
- RS-varenummer:
- 349-316
- Producentens varenummer:
- FF3MR12KM1HPHPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 2.129,63
(ekskl. moms)
Kr. 2.662,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 8 enhed(er) afsendes fra 26. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 2.129,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-316
- Producentens varenummer:
- FF3MR12KM1HPHPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 280A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.32mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.59V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | 23V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | 60749, 60068, IEC 60747 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 280A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.32mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.59V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. 23V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser 60749, 60068, IEC 60747 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- HU
Infineons 62 mm CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module er designet i det velkendte 62 mm hus og integrerer M1H-chipteknologi til højtydende effektanvendelser. Dette modul har en høj strømtæthed, hvilket gør det ideelt til systemer med begrænset plads, der kræver robust ydeevne. Med lave koblingstab sikrer den større effektivitet ved høje koblingsfrekvenser. Den overlegne gateoxid-pålidelighed forbedrer holdbarheden og forlænger modulets levetid under krævende forhold.
Minimerer indsatsen for køling
Reduktion i volumen og størrelse
Reducerede systemomkostninger
Symmetrisk moduldesign
Standard konstruktionsteknik
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 185 A 1200 V Forbedring
- Infineon N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring CoolSiC
- Infineon N-Kanal 50 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon N-Kanal 62.5 A 1200 V Forbedring FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1HP_B11
- Infineon N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring, F4-11MR12W2M1H_B70
- Infineon N-Kanal 65 A 1200 V Forbedring EasyPACK
- Infineon N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring FF11MR12W2M1H_B70