Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 185 A 1200 V Forbedring Nej FF3MR12KM1HHPSA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 4.978,89

(ekskl. moms)

Kr. 6.223,61

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 4.978,89

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-315
Producentens varenummer:
FF3MR12KM1HHPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

185A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Monteringstype

Skrueterminal

Drain source modstand maks. Rds

6.32mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

5.59V

Portkildespænding maks.

23 V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
HU
Infineons 62 mm CoolSiC MOSFET Half-Bridge-modul er anbragt i den velkendte 62 mm-emballage og kombinerer den nyeste M1H-chipteknologi for at opnå optimal ydelse. Dette modul leverer høj strømtæthed, hvilket gør det ideelt til applikationer, der kræver kompakte, men kraftfulde løsninger. Den har lave koblingstab, hvilket sikrer effektiv drift selv ved høje frekvenser, og den har en overlegen gateoxid-pålidelighed, som giver bedre holdbarhed over tid.

Minimerer indsatsen for køling

Reduktion i volumen og størrelse

Reducerede systemomkostninger

Symmetrisk moduldesign

Standard konstruktionsteknik

Relaterede links