Infineon Halvbro N-Kanal, MOSFET-moduler, 185 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, AG-62MMHB, C Series
- RS-varenummer:
- 762-898
- Producentens varenummer:
- FF3MR12KM1HSHPSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 2.339,52
(ekskl. moms)
Kr. 2.924,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 2.339,52 |
| 10 + | Kr. 1.742,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-898
- Producentens varenummer:
- FF3MR12KM1HSHPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET-moduler | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 185A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | AG-62MMHB | |
| Serie | C Series | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.62mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.65μC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 6.25V | |
| Portkildespænding maks. | -23V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Transistorkonfiguration | Halvbro | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 106.4mm | |
| Bredde | 61.4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET-moduler | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 185A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype AG-62MMHB | ||
Serie C Series | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.62mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.65μC | ||
Gennemgangsspænding Vf 6.25V | ||
Portkildespænding maks. -23V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Transistorkonfiguration Halvbro | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 106.4mm | ||
Bredde 61.4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- HU
Infineon CoolSiC Trench MOSFET-halvbromodulet har en mærkespænding på 2000 V og understøtter høj strømtæthed. Den er velegnet til UPS-systemer, DC/DC-konvertere, højfrekvente omskiftningsanvendelser, solenergianvendelser, energilagringssystemer (ESS) og DC-ladere til elbiler.
Lavt skiftetab
Høj strømtæthed
Kvalificeret til industrielle anvendelser
4 kV AC 1 min. isolering