Infineon Halvbro N-kanal-Kanal, MOSFET-moduler, 185 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, AG-62MMHB, C Series

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 3.293,36

(ekskl. moms)

Kr. 4.116,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 3.293,36

*Vejledende pris

RS-varenummer:
762-898
Producentens varenummer:
FF3MR12KM1HSHPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET-moduler

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

185A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

AG-62MMHB

Serie

C Series

Monteringstype

Skrueterminal

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

4.62mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.65μC

Min. driftstemperatur

-40°C

Effektafsættelse maks. Pd

20mW

Gennemgangsspænding Vf

6.25V

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Halvbro

Længde

106.4mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
HU
Infineon CoolSiC Trench MOSFET-halvbromodulet har en mærkespænding på 2000 V og understøtter høj strømtæthed. Den er velegnet til UPS-systemer, DC/DC-konvertere, højfrekvente omskiftningsanvendelser, solenergianvendelser, energilagringssystemer (ESS) og DC-ladere til elbiler.

Lavt skiftetab

Høj strømtæthed

Kvalificeret til industrielle anvendelser

4 kV AC 1 min. isolering

Relaterede links