Infineon Halvbro N-kanal-Kanal, MOSFET-moduler, 395 A 1200 V Forbedring, 15 Ben, AG-62MMHB, XHP 2

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 6.366,01

(ekskl. moms)

Kr. 7.957,51

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 6.366,01

*Vejledende pris

RS-varenummer:
762-897
Producentens varenummer:
FF1MR12KM1HSHPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET-moduler

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

395A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

XHP 2

Emballagetype

AG-62MMHB

Monteringstype

Skrueterminal

Benantal

15

Drain source modstand maks. Rds

2.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Effektafsættelse maks. Pd

2300W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.6μC

Portkildespænding maks.

-23V

Gennemgangsspænding Vf

6.25V

Driftstemperatur maks.

125°C

Transistorkonfiguration

Halvbro

Længde

106.4mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bredde

61.4mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
HU
Infineon CoolSiC Trench MOSFET-halvbromodulet har en mærkespænding på 1200 V og understøtter høj strømtæthed. Den er velegnet til UPS-systemer, DC/DC-konvertere, højfrekvente omskiftningsanvendelser, solenergianvendelser, energilagringssystemer (ESS) og DC-ladere til elbiler.

Lavt skiftetab

Høj strømtæthed

Kvalificeret til industrielle anvendelser

4 kV AC 1 min. isolering

Relaterede links