Infineon Halvbro N-kanal-Kanal, MOSFET-moduler, 395 A 1200 V Forbedring, 15 Ben, AG-62MMHB, XHP 2
- RS-varenummer:
- 762-897
- Producentens varenummer:
- FF1MR12KM1HSHPSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 4.402,65
(ekskl. moms)
Kr. 5.503,31
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 4.402,65 |
| 10 + | Kr. 3.367,94 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-897
- Producentens varenummer:
- FF1MR12KM1HSHPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | MOSFET-moduler | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 395A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | AG-62MMHB | |
| Serie | XHP 2 | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Benantal | 15 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -23V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.6μC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 6.25V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2300W | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Transistorkonfiguration | Halvbro | |
| Længde | 106.4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bredde | 61.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype MOSFET-moduler | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 395A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype AG-62MMHB | ||
Serie XHP 2 | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Benantal 15 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -23V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.6μC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 6.25V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2300W | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Transistorkonfiguration Halvbro | ||
Længde 106.4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bredde 61.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- HU
Infineon CoolSiC Trench MOSFET-halvbromodulet har en mærkespænding på 1200 V og understøtter høj strømtæthed. Den er velegnet til UPS-systemer, DC/DC-konvertere, højfrekvente omskiftningsanvendelser, solenergianvendelser, energilagringssystemer (ESS) og DC-ladere til elbiler.
Lavt skiftetab
Høj strømtæthed
Kvalificeret til industrielle anvendelser
4 kV AC 1 min. isolering
Relaterede links
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 185 A 1200 V Forbedring AG-62MMHB, C Series
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 160 A 1200 V Forbedring AG - EASY2B, XHP 2
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 1335 A 2300 V Forbedring AG-XHP2K33, XHP 2
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 710 A 2300 V Forbedring XHP-2, XHP 2
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 1000 A 2300 V Forbedring XHP-2, XHP 2
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 675 A 2300 V Forbedring XHP-2, XHP 2
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 1330 A 2300 V Forbedring XHP-2, XHP 2
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 1185 A 2300 V Forbedring XHP-2, XHP 2