Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Forbedring, F4-11MR12W2M1H_B70
- RS-varenummer:
- 349-250
- Producentens varenummer:
- F411MR12W2M1HPB76BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 1.793,85
(ekskl. moms)
Kr. 2.242,31
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 18 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 1.793,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-250
- Producentens varenummer:
- F411MR12W2M1HPB76BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | F4-11MR12W2M1H_B70 | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.35V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | 60749, IEC 60747, 60068 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie F4-11MR12W2M1H_B70 | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Drain source modstand maks. Rds 23.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.35V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser 60749, IEC 60747, 60068 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET fourpack-modul 1200 V, 11 mΩ G1 med NTC, præappliceret termisk interface-materiale (TIM) og PressFIT-kontaktteknologi. Denne MOSFET har klassens bedste indpakning med en kompakt højde på 12 mm, hvilket sikrer optimal ydelse og samtidig sparer plads. Den bruger avancerede Wide Bandgap-materialer, der forbedrer strømeffektiviteten og varmestyringen. Designet har en meget lav modul-stray-induktans, hvilket reducerer effekttab og forbedrer skiftehastigheden.
Enestående moduleffektivitet
Fordele ved systemomkostninger
Forbedring af systemets effektivitet
Reducerede krav til køling
Muliggør højere frekvens
Forøgelse af effekttætheden
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring F4-11MR12W2M1H_B70
- Infineon Type N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring F4-17MR12W1M1H_B76
- Infineon Type N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring F4-17MR12W1M1HP_B76
- Infineon Type N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring F4-8MR12W2M1H_B70
- Infineon Type N-Kanal 25 A 1200 V Forbedring F4-17MR12W1M1HP_B76
- Infineon Isoleret Type N-Kanal 25 A 1200 V AG - EASY2B, F4
- Infineon Type N-Kanal 185 A 1200 V Forbedring
- Infineon Type N-Kanal 280 A 1200 V Forbedring