Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Forbedring, F4-11MR12W2M1H_B70 Nej F411MR12W2M1HPB76BPSA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 2.384,74

(ekskl. moms)

Kr. 2.980,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 18 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 2.384,74

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-250
Producentens varenummer:
F411MR12W2M1HPB76BPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

F4-11MR12W2M1H_B70

Monteringstype

Skrueterminal

Drain source modstand maks. Rds

23.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Portkildespænding maks.

23 V

Gennemgangsspænding Vf

5.35V

Effektafsættelse maks. Pd

20mW

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

60749, IEC 60747, 60068

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET fourpack-modul 1200 V, 11 mΩ G1 med NTC, præappliceret termisk interface-materiale (TIM) og PressFIT-kontaktteknologi. Denne MOSFET har klassens bedste indpakning med en kompakt højde på 12 mm, hvilket sikrer optimal ydelse og samtidig sparer plads. Den bruger avancerede Wide Bandgap-materialer, der forbedrer strømeffektiviteten og varmestyringen. Designet har en meget lav modul-stray-induktans, hvilket reducerer effekttab og forbedrer skiftehastigheden.

Enestående moduleffektivitet

Fordele ved systemomkostninger

Forbedring af systemets effektivitet

Reducerede krav til køling

Muliggør højere frekvens

Forøgelse af effekttætheden

Relaterede links