Infineon Isoleret Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V, 2 Ben, AG - EASY2B, F4 Nej F445MR12W1M1B76BPSA1

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bakke af 24 enheder)*

Kr. 12.708,408

(ekskl. moms)

Kr. 15.885,504

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 29. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bakke*
24 - 24Kr. 529,517Kr. 12.708,41
48 - 48Kr. 503,039Kr. 12.072,94
72 +Kr. 478,156Kr. 11.475,74

*Vejledende pris

RS-varenummer:
234-8967
Producentens varenummer:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

25A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

F4

Emballagetype

AG - EASY2B

Benantal

2

Drain source modstand maks. Rds

45mΩ

Portkildespænding maks.

15 V

Effektafsættelse maks. Pd

20mW

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.062μC

Gennemgangsspænding Vf

5.65V

Min. driftstemperatur

-40°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

62.8mm

Bredde

33.8 mm

Standarder/godkendelser

60749 and 60068, IEC 60747

Højde

16.4mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IGBT-modulet har en 4 N-kanal (halvbro) FET-type med 1200 V dræn til kildespænding og 75 A kontinuerlig drænstrøm.

Chassismontering

40 til 150 C driftstemperatur

Relaterede links