Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Forbedring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1HP_B76 Nej F417MR12W1M1HPB76BPSA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 1.642,73

(ekskl. moms)

Kr. 2.053,41

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 30 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 1.642,73

*Vejledende pris

RS-varenummer:
348-966
Producentens varenummer:
F417MR12W1M1HPB76BPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

F4-17MR12W1M1HP_B76

Emballagetype

EasyPACK

Monteringstype

Skrueterminal

Drain source modstand maks. Rds

34.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

5.35V

Effektafsættelse maks. Pd

20mW

Portkildespænding maks.

23 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET firepakkemodul 1200 V, 17 mΩ G1 med NTC, præappliceret termisk interface-materiale og PressFIT-kontaktteknologi. Denne MOSFET er bygget med klassens bedste indpakning med en kompakt højde på 12 mm for effektiv integration. Den bruger avancerede Wide Bandgap-materialer, som forbedrer ydeevnen og energieffektiviteten. Designet giver en meget lav strøminduktans i modulet, hvilket reducerer effekttab og forbedrer skifteegenskaberne. Den drives af den forbedrede CoolSiC MOSFET Gen 1 og giver overlegen termisk ydeevne og pålidelighed.

Enestående moduleffektivitet

Fordele ved systemomkostninger

Forbedring af systemets effektivitet

Reducerede krav til køling

Muliggør højere frekvens

Forøgelse af effekttætheden

Relaterede links