Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 62.5 A 1200 V Forbedring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55 Nej FS13MR12W2M1HC55BPSA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 2.963,57

(ekskl. moms)

Kr. 3.704,46

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 15 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 2.963,57

*Vejledende pris

RS-varenummer:
348-979
Producentens varenummer:
FS13MR12W2M1HC55BPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

62.5A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

FS13MR12W2M1H_C55

Emballagetype

EasyPACK

Monteringstype

Skrueterminal

Drain source modstand maks. Rds

21.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

5.35V

Portkildespænding maks.

23 V

Effektafsættelse maks. Pd

20mW

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 1200 V, 13 mΩ Six-Pack Module integrerer CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1-teknologi til højtydende strømapplikationer. Den er anbragt i klassens bedste pakke med en kompakt højde på 12 mm og giver optimal pladsbesparelse uden at gå på kompromis med ydeevnen. Modulet er bygget med førende Wide Bandgap (WBG)-materialer, der sikrer overlegen effektivitet, termisk ydeevne og pålidelighed.

Enestående moduleffektivitet

Fordele ved systemomkostninger

Forbedring af systemets effektivitet

Reducerede krav til køling

Muliggør højere frekvens

Forøgelse af effekttætheden

Bedre varmeledningsevne for DCB-materiale

Relaterede links