Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 600 V Forbedring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD
- RS-varenummer:
- 348-998
- Producentens varenummer:
- IPDQ60T022S7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 104,94
(ekskl. moms)
Kr. 131,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 750 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 104,94 |
| 10 - 99 | Kr. 94,40 |
| 100 + | Kr. 87,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-998
- Producentens varenummer:
- IPDQ60T022S7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 22 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 416W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC, JS-001, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PG-HDSOP-22 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 22 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 416W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC, JS-001, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS S7T giver den bedste pris for lavfrekvente switching-applikationer. Den indbyggede temperatursensor øger nøjagtigheden og robustheden af forbindelsestemperaturen, samtidig med at implementeringen er nem og problemfri. CoolMOS S7T er optimeret til statisk switching og applikationer med høj strøm. Den nye temperatursensor forbedrer S7-funktionerne og giver den bedst mulige udnyttelse af effekttransistoren.
Øget systemydelse
Øget systemydelse
Mere kompakt og mere ligetil design
Lavere BOM eller TCO over en længere levetid
Større pålidelighed og længere systemlevetid
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 288 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon Type N-Kanal 113.3 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon Type N-Kanal 54 A 60 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 113 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPQ
- Infineon Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPQ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 173 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC