Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 113.3 A 600 V Forbedring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 137,22

(ekskl. moms)

Kr. 171,52

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 750 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 137,22
10 - 99Kr. 123,49
100 +Kr. 113,85

*Vejledende pris

RS-varenummer:
348-997
Producentens varenummer:
IPDQ60T017S7XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

113.3A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

IPD

Emballagetype

PG-HDSOP-22

Monteringstype

Overflade

Benantal

22

Drain source modstand maks. Rds

17mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

196nC

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.82V

Effektafsættelse maks. Pd

500W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS, JEDEC, JS-001

COO (Country of Origin):
MY
Infineon CoolMOS S7T giver den bedste pris for lavfrekvente switching-applikationer. Den indbyggede temperatursensor øger nøjagtigheden og robustheden af forbindelsestemperaturen, samtidig med at implementeringen er nem og problemfri. CoolMOS S7T er optimeret til statisk switching og applikationer med høj strøm. Den nye temperatursensor forbedrer S7-funktionerne og giver den bedst mulige udnyttelse af effekttransistoren.

Øget systemydelse

Øget systemydelse

Mere kompakt og mere ligetil design

Lavere BOM eller TCO over en længere levetid

Større pålidelighed og længere systemlevetid

Relaterede links