Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 54 A 60 V Forbedring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 349-199
- Producentens varenummer:
- IPDQ60T040S7AXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 73,50
(ekskl. moms)
Kr. 91,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 13. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 73,50 |
| 10 - 99 | Kr. 66,20 |
| 100 - 499 | Kr. 61,04 |
| 500 - 999 | Kr. 56,55 |
| 1000 + | Kr. 50,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-199
- Producentens varenummer:
- IPDQ60T040S7AXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 54A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | IPD | |
| Emballagetype | PG-HDSOP-22 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 22 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 83nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 272W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC Q101, JEDEC | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 54A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie IPD | ||
Emballagetype PG-HDSOP-22 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 22 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 83nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 272W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC Q101, JEDEC | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS S7TA giver den bedste pris for lavfrekvente switching-applikationer. Den indbyggede temperatursensor øger nøjagtigheden og robustheden af forbindelsestemperaturen, samtidig med at implementeringen er nem og problemfri. CoolMOS S7TA er optimeret til statisk switching og applikationer med høj strøm. Den nye temperatursensor forbedrer S7A's funktioner og giver den bedst mulige udnyttelse af effekttransistoren.
Optimeret prisydelse i lavfrekvente switching-applikationer
Høj impulsstrømkapacitet
Problemfri diagnostik til laveste systemomkostninger
Øget systemydelse
Minimerede ledningstab
Større pålidelighed og længere systemlevetid
Modstandsdygtighed over for stød og vibrationer
Ingen kontaktbuer eller hoppen
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 113 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 54 A 60 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPQ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 113.3 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon Type N-Kanal 90 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon Type N-Kanal 288 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon Type N-Kanal 173 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 30 A 60 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPQ AEC-Q101
