Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 26 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 349-054
- Producentens varenummer:
- IMT65R107M1HXUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 98,85
(ekskl. moms)
Kr. 123,562
(inkl. moms)
Tilføj 12 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 49,425 | Kr. 98,85 |
| 20 - 198 | Kr. 44,47 | Kr. 88,94 |
| 200 + | Kr. 41,065 | Kr. 82,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-054
- Producentens varenummer:
- IMT65R107M1HXUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | PG-HSOF-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 141mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 138W | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype PG-HSOF-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 141mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 138W | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 bygger på over 20 års solid siliciumcarbid-teknologi udviklet af Infineon. Ved at udnytte de unikke egenskaber ved SiC-materialer med bredt båndgab leverer 650 V CoolSiC MOSFET en enestående kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed. Den er designet til høje temperaturer og barske driftsforhold, hvilket gør den ideel til krævende anvendelser. Denne MOSFET muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af systemer med den højeste effektivitet, der imødekommer de stigende behov inden for moderne effektelektronik.
Optimeret skifteadfærd ved højere strømme
Kommuteringsrobust hurtig kropsdiode med lav Qfr
Øget evne til at håndtere laviner
Kompatibel med standarddrivere
Kelvin-kilde giver op til 4 gange lavere koblingstab
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 142 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Type N-Kanal 61 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Type N-Kanal 59 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Type N-Kanal 196 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Type N-Kanal 44 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon Type N-Kanal 50 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Infineon N-Kanal 36 A 650 V PG-HSOF-8, CoolSiC MOSFET 650 V G1 IMT65R072M1HXUMA1
- Infineon Type N-Kanal 13 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, IGT65