Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 38 A 650 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO-247, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 349-066
- Producentens varenummer:
- IMW65R050M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 68,11
(ekskl. moms)
Kr. 85,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 68,11 |
| 10 - 99 | Kr. 61,34 |
| 100 - 499 | Kr. 56,55 |
| 500 - 999 | Kr. 52,36 |
| 1000 + | Kr. 47,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-066
- Producentens varenummer:
- IMW65R050M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 38A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | PG-TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 62mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 153W | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 38A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype PG-TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 62mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 153W | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 er bygget på Infineons robuste 2. generations Silicon Carbide trench-teknologi, der giver uovertruffen ydeevne, overlegen pålidelighed og fremragende brugervenlighed. Denne MOSFET er designet til at muliggøre omkostningseffektive, højeffektive og forenklede designs, der imødekommer de stadigt voksende krav fra moderne kraftsystemer og markeder. Det er en ideel løsning til at opnå høj systemeffektivitet i en lang række applikationer, der leverer pålidelig ydeevne og overlegen funktionalitet.
Ultra lave koblingstab
Robust mod parasitisk tænding, selv med 0 V slukket gatespænding
Fleksibel drivspænding og kompatibel med bipolært drivsystem
Robust kropsdiodedrift under hårde kommuteringshændelser
.XT-forbindelsesteknologien giver klassens bedste termiske ydeevne
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 83 A 650 V Forbedring PG-TO-247, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 93 A 650 V Forbedring PG-TO-247, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 46 A 650 V Forbedring PG-TO-247, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 38 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 38 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon Type N-Kanal 28 A 650 V Forbedring TO-247, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 39 A 650 V Forbedring TO-247, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 26 A 650 V Forbedring TO-247, CoolSiC