Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 38 A 650 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO-247, CoolSiC Nej IMW65R050M2HXKSA1
- RS-varenummer:
- 349-066
- Producentens varenummer:
- IMW65R050M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 68,11
(ekskl. moms)
Kr. 85,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 68,11 |
| 10 - 99 | Kr. 61,34 |
| 100 - 499 | Kr. 56,55 |
| 500 - 999 | Kr. 52,36 |
| 1000 + | Kr. 47,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-066
- Producentens varenummer:
- IMW65R050M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 38A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-TO-247 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 62mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 23 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 153W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 38A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-TO-247 | ||
Serie CoolSiC | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 62mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 23 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 153W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 er bygget på Infineons robuste 2. generations Silicon Carbide trench-teknologi, der giver uovertruffen ydeevne, overlegen pålidelighed og fremragende brugervenlighed. Denne MOSFET er designet til at muliggøre omkostningseffektive, højeffektive og forenklede designs, der imødekommer de stadigt voksende krav fra moderne kraftsystemer og markeder. Det er en ideel løsning til at opnå høj systemeffektivitet i en lang række applikationer, der leverer pålidelig ydeevne og overlegen funktionalitet.
Ultra lave koblingstab
Robust mod parasitisk tænding, selv med 0 V slukket gatespænding
Fleksibel drivspænding og kompatibel med bipolært drivsystem
Robust kropsdiodedrift under hårde kommuteringshændelser
.XT-forbindelsesteknologien giver klassens bedste termiske ydeevne
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 46 A 650 V PG-TO247-3, IMW IMW65R040M2HXKSA1
- Infineon N-Kanal 93 A 650 V PG-TO247-3, IMW IMW65R015M2HXKSA1
- Infineon N-Kanal 83 A 650 V PG-TO247-3, IMW IMW65R020M2HXKSA1
- Infineon N-Kanal 5 4 ben IMW IMWH170R1K0M1XKSA1
- Infineon N-Kanal 7 4 ben IMW IMWH170R650M1XKSA1
- Infineon N-Kanal 10 A 1700 V PG-TO247-3, IMW IMWH170R450M1XKSA1
- Infineon N-Kanal 38 A 650 V PG-TO247-4, IMZ IMZA65R050M2HXKSA1
- Infineon 211 A 650 V, PG-TO247-3 IPW65R050CFD7AXKSA1