Infineon N-Kanal, MOSFET, 34 A 2 kV Forbedring, 4 Ben, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 349-113
- Producentens varenummer:
- IMYH200R075M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 141,00
(ekskl. moms)
Kr. 176,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 193 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 141,00 |
| 10 - 99 | Kr. 126,94 |
| 100 + | Kr. 117,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-113
- Producentens varenummer:
- IMYH200R075M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 34A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 2kV | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 106mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 267W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 64nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 34A | ||
Drain source spænding maks. Vds 2kV | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 106mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 267W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 64nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC seriens MOSFET, 34 A maksimal kontinuerlig drain-strøm, 2000 V maksimal drain-kildespænding - IMYH200R075M1HXKSA1
Denne MOSFET er en siliciumkarbid-effekttransistor, der er designet til højspændingsswitching i krævende industrielle miljøer og strømkonverteringsmiljøer. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og er indkapslet i en pakke med flere ledninger med gennemgående huller, der er velegnet til robust samling og varmestyring. Enheden er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig kontinuerlig strømhåndtering og høj effekttab.
Egenskaber og fordele:
• 2000 V drain-kapacitet, der muliggør meget højspændingsswitching
• 34 A kontinuerlig afløbsstrøm for vedvarende strømforsyning
• 267 W maks. effekttab, der hjælper med termisk design, højt rum
• 106 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i stier med høj strømstyrke
• 64 nC typisk gate-ladning for forudsigelig koblingsenergi
• PG-TO-247-4-PLUS-NT14 med gennemgående hul forenkler integreringen af kølelegemer
• 34 A kontinuerlig afløbsstrøm for vedvarende strømforsyning
• 267 W maks. effekttab, der hjælper med termisk design, højt rum
• 106 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i stier med høj strømstyrke
• 64 nC typisk gate-ladning for forudsigelig koblingsenergi
• PG-TO-247-4-PLUS-NT14 med gennemgående hul forenkler integreringen af kølelegemer
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsomformere og invertere
• Ideel til industrielle motordrevstrin
• Anvendes til switch-mode strømforsyninger med høj effekt
• Kan bruges til kraftelektronik med vedvarende energi
• Velegnet til trækkraft- og kraftige strømmoduler
• Ideel til industrielle motordrevstrin
• Anvendes til switch-mode strømforsyninger med høj effekt
• Kan bruges til kraftelektronik med vedvarende energi
• Velegnet til trækkraft- og kraftige strømmoduler
Hvilke gate-spændingsgrænser skal designere overholde, når de kører den?
Gate-source-klassificeringen er ±20 V, så gate-drive-kredsløb bør begrænse udgange inden for dette område for at forhindre gate-oxid-belastning.
Hvordan tåler enheden barske termiske miljøer?
Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 175 °C, hvilket gør det muligt for design at tåle brede udsving i omgivelses- og forbindelsestemperaturer.
Hvilken benkonfiguration og monteringsmetode bruger den?
Komponenten leveres i en 4-leder PG-TO-247-4-PLUS-NT14-pakke med gennemgående hul, hvilket muliggør sikker PCB-montering og direkte fastgørelse til køleelementer.
Er der materiale- eller miljømæssige begrænsninger for brug?
Den er i overensstemmelse med RoHS, så den overholder kravene til blyfri materialer til elektroniske enheder.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 26 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 48 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 89 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon N-Kanal 60 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon N-Kanal 70 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U02, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 31 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon N-Kanal 202 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q101