Infineon N-Kanal, MOSFET, 48 A 2 kV Forbedring, 4 Ben, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 349-111
- Producentens varenummer:
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 167,85
(ekskl. moms)
Kr. 209,81
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 240 enhed(er) afsendes fra 19. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 167,85 |
| 10 - 99 | Kr. 151,17 |
| 100 + | Kr. 139,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-111
- Producentens varenummer:
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 48A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 2kV | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 70mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 82nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 348W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 48A | ||
Drain source spænding maks. Vds 2kV | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 70mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 82nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 348W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC seriens MOSFET, 2000 V maksimal drain source-spænding, 48 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IMYH200R050M1HXKSA1
Denne MOSFET er en siliciumkarbid-effekttransistor, der er designet til højspændingsswitching i krævende elektriske systemer. Den fungerer som en N-kanalforstærkning, der er beregnet til montering af gennemgående kort og er velegnet til anvendelser, der kræver høj temperaturtolerance og betydelig kontinuerlig strømhåndtering.
Egenskaber og fordele:
• 2000 V afløbsspænding muliggør højspændingskontaktfunktion
• 48 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter drift med kraftig belastning
• 70 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under omskiftning
• 82 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigeligt gate-drive-design
• 348 W maks. effekttab håndterer betydelige termiske belastninger
• PG-TO-247-4-PLUS-NT14-pakken med gennemgående hul forenkler varmeafledningen
• 48 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter drift med kraftig belastning
• 70 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under omskiftning
• 82 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigeligt gate-drive-design
• 348 W maks. effekttab håndterer betydelige termiske belastninger
• PG-TO-247-4-PLUS-NT14-pakken med gennemgående hul forenkler varmeafledningen
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømomformere og invertere
• Ideel til industrielle motordrevstrin
• Anvendes sammen med højspændingskondensatoropladningskredsløb
• Kan bruges til DC/DC-konvertering i forsyningsudstyr
• Velegnet til evalueringskort til laboratorieelektronik
• Ideel til industrielle motordrevstrin
• Anvendes sammen med højspændingskondensatoropladningskredsløb
• Kan bruges til DC/DC-konvertering i forsyningsudstyr
• Velegnet til evalueringskort til laboratorieelektronik
Hvilke grænser for portdrev skal jeg overholde for sikker drift?
Gate-source-spændingen må ikke overstige 20 V
design gate-drivere til at forblive inden for denne tærskel, herunder undertrykkelse af transienter.
Hvordan opfører den sig ved høje temperaturer?
Den er normeret til at fungere op til 175 °C samletemperatur
Termisk styring bør tage højde for det angivne maksimale effekttab for at forhindre termisk udmattelse.
Hvilke monteringshensyn kræves der for termisk styring?
Den 4-benede PG-TO-247-4-PLUS-NT14-pakke med gennemgående hul giver mulighed for robust mekanisk fastgørelse og direkte interface til en køleplade for effektiv varmeafledning.
Er der begrænsninger for det omgivende driftsområde?
Enheden er specificeret ned til -55 °C minimum driftstemperatur, så konstruktioner skal rumme denne lavere grænse for koldstart scenarier.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 26 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 34 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 89 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon N-Kanal 60 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon N-Kanal 70 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U02, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 31 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon N-Kanal 202 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q101