Infineon N-Kanal, MOSFET, 26 A 2 kV Forbedring, 4 Ben, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 349-114
- Producentens varenummer:
- IMYH200R100M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 122,45
(ekskl. moms)
Kr. 153,06
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 51 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 240 enhed(er) afsendes fra 05. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 122,45 |
| 10 - 99 | Kr. 110,26 |
| 100 + | Kr. 101,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-114
- Producentens varenummer:
- IMYH200R100M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 2kV | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 142mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 217W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 2kV | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 142mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 217W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC seriens MOSFET, 2000 V drain source-spænding, 26 A kontinuerlig drain-strøm - IMYH200R100M1HXKSA1
Denne MOSFET er en N-kanal-forbedringsenhed af siliciumkarbid, der er designet til højspændingsswitching i krævende elektroniske systemer. Den giver en robust løsning til konvertering eller styring af store spændinger og strømme i gennemgående hulimplementeringer, der fungerer over et udvidet omgivende temperaturområde til brug i barske miljøer.
Egenskaber og fordele:
• 2000 V drain-til-kilde-modstand forenkler højspændingsdesign
• 26 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende strømforsyning
• 217 W maks. effekttab hjælper med planlægning af termisk margen
• 142 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 55 nC typisk gate-ladning muliggør håndterbar drevenergi
• PG-TO-247-4-PLUS-NT14-pakke med gennemgående hul letter montering og køling
• 26 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende strømforsyning
• 217 W maks. effekttab hjælper med planlægning af termisk margen
• 142 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 55 nC typisk gate-ladning muliggør håndterbar drevenergi
• PG-TO-247-4-PLUS-NT14-pakke med gennemgående hul letter montering og køling
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømomformere og invertere
• Ideel til industrielle motordrevstrin
• Anvendes sammen med energilagring og grid-tie-interface-kredsløb
• Kan bruges til højspændingstest- og måleudstyr
• Velegnet til trækkraft- og kraftige kraftelektronikmoduler
• Ideel til industrielle motordrevstrin
• Anvendes sammen med energilagring og grid-tie-interface-kredsløb
• Kan bruges til højspændingstest- og måleudstyr
• Velegnet til trækkraft- og kraftige kraftelektronikmoduler
Hvilken mærkespænding og polaritet skal designere forvente ved omskiftning?
Enheden er mærket til at modstå 2000 V mellem drain og kilde og er konfigureret som en N-kanal-transistor, så designene skal tage højspændingsafstand og passende gate-drive-reference.
Hvordan påvirker gate-driverenergi valg af gate-driver?
Med en typisk gate-ladning på 55 nC bør gate-drivere vælges til at levere tilstrækkelig spidsstrøm til at opnå den krævede skiftehastighed, mens du styrer dv/dt for at begrænse elektromagnetisk belastning.
Hvilke termiske overvejelser er nødvendige for pålidelig drift?
Komponenten taber op til 217 W under specificerede forhold, så termisk styring, herunder kølelegeme og termisk ledningsevne for printkort, skal konstrueres til at opretholde forbindelsestemperaturer inden for grænserne.
Hvilken monteringsmetode understøtter pakken, og hvad er konsekvenserne?
PG-TO-247-4-PLUS-NT14-formatet med gennemgående hul letter mekanisk stabilitet og direkte montering af kølelegeme, hvilket forenkler monteringen til anvendelser med høj effekt.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 34 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 48 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 89 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon N-Kanal 60 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon N-Kanal 70 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U02, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 31 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon N-Kanal 202 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q101