Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 26 A 2000 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC Nej IMYH200R100M1HXKSA1
- RS-varenummer:
- 349-114
- Producentens varenummer:
- IMYH200R100M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 183,83
(ekskl. moms)
Kr. 229,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 197 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 183,83 |
| 10 - 99 | Kr. 165,38 |
| 100 + | Kr. 152,52 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-114
- Producentens varenummer:
- IMYH200R100M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 2000V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 142mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 217W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 2000V | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 142mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 217W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET er en højtydende siliciumcarbid-MOSFET med .XT-forbindelsesteknologi for forbedret termisk og elektrisk ydeevne. Med en benchmark gate-tærskelspænding (VGS(th)) på 4,5 V giver den pålidelig og effektiv switching, hvilket gør den ideel til højspændingsapplikationer. Denne MOSFET leverer en overlegen ydelse, der sikrer fremragende effektivitet og robust drift selv i krævende miljøer.
Meget lave koblingstab
Robust kropsdiode til hård kommutering
RoHS-overensstemmende
Halogenfri
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 89 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon Type N-Kanal 60 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon Type N-Kanal 34 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC Nej IMYH200R075M1HXKSA1
- Infineon Type N-Kanal 48 A 2000 V Forbedring PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC Nej IMYH200R050M1HXKSA1
- Infineon Type N-Kanal 70 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-U02, CoolSiC Nej IMZA120R030M1HXKSA1
- Infineon Type N-Kanal 31 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100
- Infineon Type N-Kanal 22 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AEC-Q100