Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 230 A 40 V Forbedring, 10 Ben, PG-LHDSO-10-1, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 349-164
- Producentens varenummer:
- IAUCN04S6N013TATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 102,78
(ekskl. moms)
Kr. 128,475
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 20,556 | Kr. 102,78 |
| 50 - 95 | Kr. 19,538 | Kr. 97,69 |
| 100 - 495 | Kr. 18,072 | Kr. 90,36 |
| 500 - 995 | Kr. 16,636 | Kr. 83,18 |
| 1000 + | Kr. 16,038 | Kr. 80,19 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-164
- Producentens varenummer:
- IAUCN04S6N013TATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 230A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PG-LHDSO-10-1 | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 10 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.68mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 133W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 230A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PG-LHDSO-10-1 | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 10 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.68mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 133W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineons Automotive MOSFET er en OptiMOS power MOSFET, der er specielt designet til bilindustrien. Det er en N-kanal, enhancement mode-enhed med normale niveauegenskaber. MOSFET'en gennemgår en udvidet kvalificering ud over AEC-Q101-standarderne og har forbedret elektrisk testning, hvilket sikrer pålidelig ydeevne. Dens robuste design gør den velegnet til krævende bilmiljøer og giver holdbarhed og effektivitet i strømstyringen.
MSL1 op til 260 °C spidsreflow
175 °C driftstemperatur
RoHS-overensstemmende
Potentiel anvendelse
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 330 A 40 V Forbedring PG-LHDSO-10-2, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 390 A 40 V Forbedring PG-LHDSO-10-3, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring PG-LHDSO-10-1, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 656 A 40 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon Type N-Kanal 39 A 200 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon Type N-Kanal 134 A 200 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon Type N-Kanal Halvbro 60 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal Halvbro 60 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101