Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 39 A 200 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 117,21

(ekskl. moms)

Kr. 146,51

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 18. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 23,442Kr. 117,21
50 - 95Kr. 22,276Kr. 111,38
100 +Kr. 20,644Kr. 103,22

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-401
Producentens varenummer:
IPB339N20NM6ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

39A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

OptiMOS-TM6

Emballagetype

PG-TO263-3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

33.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15.9nC

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 200 V er en N-kanal MOSFET med normalt niveau, der er designet til højeffektive effektapplikationer. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket sikrer minimale ledningstab. Med et fremragende gate charge x RDS(on)-produkt (FOM) leverer den en overlegen switching-ydelse. Denne MOSFET har også meget lav reverse recovery charge (Qrr), hvilket forbedrer den samlede effektivitet.

Pb-fri blybelægning

RoHS-overensstemmende

Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21

MSL 1 klassificeret i henhold til J-STD-020

Relaterede links