Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 39 A 200 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 132,75

(ekskl. moms)

Kr. 165,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 26,55Kr. 132,75
50 - 95Kr. 25,222Kr. 126,11
100 +Kr. 23,382Kr. 116,91

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-401
Producentens varenummer:
IPB339N20NM6ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

39A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

OptiMOS-TM6

Emballagetype

PG-TO263-3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

33.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15.9nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 200 V er en N-kanal MOSFET med normalt niveau, der er designet til højeffektive effektapplikationer. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket sikrer minimale ledningstab. Med et fremragende gate charge x RDS(on)-produkt (FOM) leverer den en overlegen switching-ydelse. Denne MOSFET har også meget lav reverse recovery charge (Qrr), hvilket forbedrer den samlede effektivitet.

Pb-fri blybelægning

RoHS-overensstemmende

Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21

MSL 1 klassificeret i henhold til J-STD-020

Relaterede links