Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 39 A 200 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- RS-varenummer:
- 349-401
- Producentens varenummer:
- IPB339N20NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 117,21
(ekskl. moms)
Kr. 146,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 930 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 23,442 | Kr. 117,21 |
| 50 - 95 | Kr. 22,276 | Kr. 111,38 |
| 100 + | Kr. 20,644 | Kr. 103,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-401
- Producentens varenummer:
- IPB339N20NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 39A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | PG-TO263-3 | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 33.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15.9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 39A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype PG-TO263-3 | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 33.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15.9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 200 V er en N-kanal MOSFET med normalt niveau, der er designet til højeffektive effektapplikationer. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket sikrer minimale ledningstab. Med et fremragende gate charge x RDS(on)-produkt (FOM) leverer den en overlegen switching-ydelse. Denne MOSFET har også meget lav reverse recovery charge (Qrr), hvilket forbedrer den samlede effektivitet.
Pb-fri blybelægning
RoHS-overensstemmende
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
MSL 1 klassificeret i henhold til J-STD-020
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 134 A 200 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon Type N-Kanal 21 A 650 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 390 A 40 V Forbedring PG-LHDSO-10-3, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 656 A 40 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS-TM6
- Infineon Type N-Kanal 330 A 40 V Forbedring PG-LHDSO-10-2, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 230 A 40 V Forbedring PG-LHDSO-10-1, OptiMOS-TM6 AEC-Q101