Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 77,58

(ekskl. moms)

Kr. 96,98

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 116 enhed(er) afsendes fra 20. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 49Kr. 77,58
50 - 99Kr. 70,39
100 - 249Kr. 64,70
250 - 499Kr. 59,62
500 +Kr. 55,43

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-2776
Producentens varenummer:
IPB65R050CFD7AATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PG-TO263-3

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.05Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

102nC

Effektafsættelse maks. Pd

227W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon MOSFET er en 650 V CoolMOS CFD7A strømforsyningsenhed. Det er en Infineons nyeste generation af markedsledende kvalificerede højspændings CoolMOS MOSFET'er til brug i biler. Ud over de velkendte egenskaber for høj kvalitet og pålidelighed, der kræves af bilindustrien, giver den nye CoolMOS CFD7A-serie en integreret hurtig husdiode og kan bruges til PFC og resonant-switching-topologier som f.eks. ZVS faseskift fuld bro og LLC.

Lavere skiftetab

Høj kvalitet og pålidelighed

100 procent lavintestet

Optimeret til højere batterispændinger

Relaterede links