Infineon 1 Type N-Kanal, MOSFET 650 V Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, AIK
- RS-varenummer:
- 349-189
- Producentens varenummer:
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 64,93
(ekskl. moms)
Kr. 81,16
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 64,93 |
| 10 - 99 | Kr. 58,34 |
| 100 - 499 | Kr. 53,86 |
| 500 - 999 | Kr. 49,89 |
| 1000 + | Kr. 44,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-189
- Producentens varenummer:
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-TO263-7 | |
| Serie | AIK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 326W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 108nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-TO263-7 | ||
Serie AIK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 326W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 108nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC Hybrid Discrete med TRENCHSTOP 5 Fast Switching IGBT og CoolSiC schottky diode G5 er designet til bilindustrien. Den har klassens bedste effektivitet i hårde switching- og resonanstopologier.
650 V nedbrydningsspænding
CoolSiCTM Schottky-diode G5
Lav gate-ladning QG
Kelvin-emittertilslutning for optimeret skifteydelse
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 68 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Type N-Kanal 58 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Type N-Kanal 158 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Type N-Kanal 34.9 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Type N-Kanal 238 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 115 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 91 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 49 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC