Infineon 1 Type N-Kanal, MOSFET 650 V Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, AIK Nej AIKBE50N65RF5ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 73,19

(ekskl. moms)

Kr. 91,49

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 73,19
10 - 99Kr. 65,97
100 - 499Kr. 60,74
500 - 999Kr. 56,40
1000 +Kr. 50,49

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-189
Producentens varenummer:
AIKBE50N65RF5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PG-TO263-7

Serie

AIK

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Effektafsættelse maks. Pd

326W

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

108nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
Infineon CoolSiC Hybrid Discrete med TRENCHSTOP 5 Fast Switching IGBT og CoolSiC schottky diode G5 er designet til bilindustrien. Den har klassens bedste effektivitet i hårde switching- og resonanstopologier.

650 V nedbrydningsspænding

CoolSiCTM Schottky-diode G5

Lav gate-ladning QG

Kelvin-emittertilslutning for optimeret skifteydelse

Relaterede links