Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 170 A 650 V Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65 Nej IMBG65R009M1HXTMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 327,28

(ekskl. moms)

Kr. 409,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 1.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 327,28
10 - 99Kr. 294,56
100 +Kr. 271,67

*Vejledende pris

RS-varenummer:
351-987
Producentens varenummer:
IMBG65R009M1HXTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

170A

Udgangseffekt

555W

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

IMBG65

Emballagetype

PG-TO263-7

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.5mm

Bredde

9.45 mm

Længde

10.2mm

Standarder/godkendelser

JEDEC

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolSiC er bygget over solid siliciumcarbid-teknologi. Den udnytter SiC-materialets egenskaber med bredt båndgab og tilbyder en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed. Den er velegnet til høje temperaturer og barsk drift og muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af den højeste systemeffektivitet.

Optimeret skifteadfærd ved højere strømme

Kommuteringsrobust hurtig kropsdiode med lav Qfr

Overlegen pålidelighed af gate-oxid

Øget evne til at håndtere laviner

Kompatibel med standarddrivere

Relaterede links