Infineon N-Kanal, MOSFET, 170 A 650 V Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65
- RS-varenummer:
- 351-987
- Producentens varenummer:
- IMBG65R009M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 278,70
(ekskl. moms)
Kr. 348,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 278,70 |
| 10 - 99 | Kr. 250,88 |
| 100 + | Kr. 231,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-987
- Producentens varenummer:
- IMBG65R009M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 170A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Udgangseffekt | 555W | |
| Serie | IMBG65 | |
| Emballagetype | PG-TO263-7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.2mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC | |
| Bredde | 9.45mm | |
| Højde | 4.5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 170A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Udgangseffekt 555W | ||
Serie IMBG65 | ||
Emballagetype PG-TO263-7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.2mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC | ||
Bredde 9.45mm | ||
Højde 4.5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolSiC er bygget over solid siliciumcarbid-teknologi. Den udnytter SiC-materialets egenskaber med bredt båndgab og tilbyder en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed. Den er velegnet til høje temperaturer og barsk drift og muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af den højeste systemeffektivitet.
Optimeret skifteadfærd ved højere strømme
Kommuteringsrobust hurtig kropsdiode med lav Qfr
Overlegen pålidelighed af gate-oxid
Øget evne til at håndtere laviner
Kompatibel med standarddrivere
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 68 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon N-Kanal 58 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon N-Kanal 158 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon N-Kanal 34.9 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon 1 N-Kanal 7 Ben AIK
- Infineon N-Kanal 41 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 238 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 115 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC