Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 170 A 650 V Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65
- RS-varenummer:
- 351-987
- Producentens varenummer:
- IMBG65R009M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 289,40
(ekskl. moms)
Kr. 361,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 289,40 |
| 10 - 99 | Kr. 260,45 |
| 100 + | Kr. 240,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-987
- Producentens varenummer:
- IMBG65R009M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 170A | |
| Udgangseffekt | 555W | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | IMBG65 | |
| Emballagetype | PG-TO263-7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.5mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC | |
| Længde | 10.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 170A | ||
Udgangseffekt 555W | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie IMBG65 | ||
Emballagetype PG-TO263-7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.5mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC | ||
Længde 10.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolSiC er bygget over solid siliciumcarbid-teknologi. Den udnytter SiC-materialets egenskaber med bredt båndgab og tilbyder en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed. Den er velegnet til høje temperaturer og barsk drift og muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af den højeste systemeffektivitet.
Optimeret skifteadfærd ved højere strømme
Kommuteringsrobust hurtig kropsdiode med lav Qfr
Overlegen pålidelighed af gate-oxid
Øget evne til at håndtere laviner
Kompatibel med standarddrivere
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 158 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Type N-Kanal 68 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Type N-Kanal 58 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Type N-Kanal 34.9 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon 1 Type N-Kanal 7 Ben AIK
- Infineon Type N-Kanal 91 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 49 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 41 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC