Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 650 V Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65 Nej IMBG65R033M2H

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 83,98

(ekskl. moms)

Kr. 104,98

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 30. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 83,98
10 - 99Kr. 75,47
100 - 499Kr. 69,71
500 - 999Kr. 64,63
1000 +Kr. 57,97

*Vejledende pris

RS-varenummer:
351-961
Producentens varenummer:
IMBG65R033M2H
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

58A

Udgangseffekt

227W

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PG-TO263-7

Serie

IMBG65

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

9.45 mm

Højde

4.5mm

Længde

10.2mm

Standarder/godkendelser

JEDEC

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolSiC MOSFET G2 i en D2PAK-7-pakke bygger på styrkerne i Generation 1-teknologien og muliggør accelereret systemdesign af mere omkostningsoptimerede, effektive, kompakte og pålidelige løsninger. Generation 2 kommer med betydelige forbedringer i nøgletal for både hard-switching-drift og soft-switching-topologier, der passer til alle almindelige kombinationer af AC-DC, DC-DC og DC-AC-trin.

Muliggør besparelser på styklister

Højeste pålidelighed

Muliggør topeffektivitet og effekttæthed

Brugervenlighed

Fuld kompatibilitet med eksisterende leverandører

Tillader design uden blæser eller kølelegeme

Relaterede links