Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 34.9 A 650 V Forbedring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 93,95

(ekskl. moms)

Kr. 117,438

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 46,975Kr. 93,95
20 - 198Kr. 42,26Kr. 84,52
200 +Kr. 39,045Kr. 78,09

*Vejledende pris

RS-varenummer:
351-959
Producentens varenummer:
IMBG65R060M2H
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

34.9A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Udgangseffekt

148W

Emballagetype

PG-TO263-7

Serie

IMBG65

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

JEDEC

Bredde

9.45 mm

Længde

10.2mm

Højde

4.5mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolSiC MOSFET G2 i en D2PAK-7-pakke bygger på styrkerne i Generation 1-teknologien og muliggør accelereret systemdesign af mere omkostningsoptimerede, effektive, kompakte og pålidelige løsninger. Generation 2 kommer med betydelige forbedringer i nøgletal for både hard-switching-drift og soft-switching-topologier, der passer til alle almindelige kombinationer af AC-DC, DC-DC og DC-AC-trin.

Muliggør besparelser på styklister

Højeste pålidelighed

Muliggør topeffektivitet og effekttæthed

Brugervenlighed

Fuld kompatibilitet med eksisterende leverandører

Tillader design uden blæser eller kølelegeme

Relaterede links