Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 273-2778
- Producentens varenummer:
- IPB65R099CFD7AATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 37,98
(ekskl. moms)
Kr. 47,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 96 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 49 | Kr. 37,98 |
| 50 - 99 | Kr. 34,48 |
| 100 - 249 | Kr. 31,64 |
| 250 - 499 | Kr. 29,25 |
| 500 + | Kr. 27,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2778
- Producentens varenummer:
- IPB65R099CFD7AATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-TO263-3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 99mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 53nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 127W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-TO263-3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 99mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 127W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET er en 650 V CoolMOS CFD7A strømforsyningsenhed. Det er en Infineons nyeste generation af markedsledende kvalificerede højspændings CoolMOS MOSFET'er til brug i biler. Ud over de velkendte egenskaber for høj kvalitet og pålidelighed, der kræves af bilindustrien, giver den nye CoolMOS CFD7A-serie en integreret hurtig husdiode og kan bruges til PFC og resonant-switching-topologier som f.eks. ZVS faseskift fuld bro og LLC.
Lavere skiftetab
Høj kvalitet og pålidelighed
100 procent lavintestet
Optimeret til højere batterispændinger
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101 IPB65R099CFD7AATMA1
- Infineon Type N-Kanal 21 A 650 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 21 A 650 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101 IPB65R115CFD7AATMA1
- Infineon Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101 IPB65R050CFD7AATMA1
- Infineon N-Kanal 176 A 100 V PG-TO263-3, OptiMOS IPB018N10N5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 134 A 200 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS-TM6 Nej IPB068N20NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 39 A 200 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS-TM6 Nej IPB339N20NM6ATMA1