Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 174.258,00

(ekskl. moms)

Kr. 217.822,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 174,258Kr. 174.258,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-2777
Producentens varenummer:
IPB65R099CFD7AATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

24A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PG-TO263-3

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

99mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

127W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

53nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon MOSFET er en 650 V CoolMOS CFD7A strømforsyningsenhed. Det er en Infineons nyeste generation af markedsledende kvalificerede højspændings CoolMOS MOSFET'er til brug i biler. Ud over de velkendte egenskaber for høj kvalitet og pålidelighed, der kræves af bilindustrien, giver den nye CoolMOS CFD7A-serie en integreret hurtig husdiode og kan bruges til PFC og resonant-switching-topologier som f.eks. ZVS faseskift fuld bro og LLC.

Lavere skiftetab

Høj kvalitet og pålidelighed

100 procent lavintestet

Optimeret til højere batterispændinger

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.