Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS Nej IPD60R600CM8XTMA1
- RS-varenummer:
- 349-313
- Producentens varenummer:
- IPD60R600CM8XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 57,01
(ekskl. moms)
Kr. 71,26
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.490 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,701 | Kr. 57,01 |
| 100 - 240 | Kr. 5,416 | Kr. 54,16 |
| 250 - 490 | Kr. 5,027 | Kr. 50,27 |
| 500 - 990 | Kr. 4,623 | Kr. 46,23 |
| 1000 + | Kr. 4,443 | Kr. 44,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-313
- Producentens varenummer:
- IPD60R600CM8XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-TO252-3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 64W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-TO252-3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 64W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineons CoolMOS 8. generationsplatform er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, designet efter super junction-princippet og banebrydende af Infineon Technologies. 600V CoolMOS CM8-serien er efterfølgeren til CoolMOS 7. Den kombinerer fordelene ved en hurtigt skiftende SJ MOSFET med fremragende brugervenlighed, f.eks. lav tendens til ringning, implementeret hurtig kropsdiode til alle produkter med enestående robusthed over for hård kommutering og fremragende ESD-egenskaber. Desuden gør de ekstremt lave switching- og ledningstab i CM8 switching-applikationer endnu mere effektive.
Velegnet til hårde og bløde switching-topologier
Betydelig reduktion af koblings- og ledningstab
Forenklet varmestyring takket være vores avancerede teknik til fastgørelse af matricer
Velegnet til en lang række anvendelser og effektområder
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V PG-TO252-3, IPD IPD60R180CM8XTMA1
- Infineon N-Kanal 73 A 30 V PG-TO252-3, IPD IPD040N03LF2SATMA1
- Infineon N-Kanal 143 A 30 V PG-TO252-3, IPD IPD020N03LF2SATMA1
- Infineon N-Kanal 71 A 30 V PG-TO252-3, IPD IPD047N03LF2SATMA1
- Infineon N-Kanal 99 A 30 V PG-TO252-3, IPD IPD030N03LF2SATMA1
- Infineon N-Kanal 137 A 30 V PG-TO252-3, IPD IPD023N03LF2SATMA1
- Infineon 1 PG-TO252-3 IPD80R4K5P7ATMA1
- Infineon 24 A 650 V, PG-TO252-3 IPD60R360PFD7SAUMA1
