Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 70 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60R037CM8XTMA1
- RS-varenummer:
- 349-258
- Producentens varenummer:
- IPT60R037CM8XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 106,40
(ekskl. moms)
Kr. 133,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 53,20 | Kr. 106,40 |
| 20 - 198 | Kr. 47,87 | Kr. 95,74 |
| 200 + | Kr. 44,17 | Kr. 88,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-258
- Producentens varenummer:
- IPT60R037CM8XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | IPT | |
| Emballagetype | PG-HSOF-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 37mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 79nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 390W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC for Industrial Applications | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie IPT | ||
Emballagetype PG-HSOF-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 37mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 79nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 390W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC for Industrial Applications | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineons CoolMOS 8. generationsplatform er en revolutionerende teknologi til højspændings-MOSFET'er, designet efter super junction (SJ)-princippet og banebrydende for Infineon Technologies. 600V CoolMOS CM8-serien er efterfølgeren til CoolMOS 7. Den kombinerer fordelene ved en hurtigt skiftende SJ MOSFET med fremragende brugervenlighed, f.eks. lav tendens til ringning, implementeret hurtig kropsdiode til alle produkter med enestående robusthed over for hård kommutering og fremragende ESD-egenskaber. Desuden gør de ekstremt lave switching- og ledningstab i CM8 switching-applikationer endnu mere effektive.
Velegnet til hårde og bløde switching-topologier
Brugervenlighed og hurtigt design gennem lav tendens til ringning
Forenklet varmestyring takket være vores avancerede teknik til fastgørelse af matricer
Velegnet til en lang række anvendelser og effektområder
Løsninger med øget effekttæthed muliggøres ved at bruge produkter med mindre fodaftryk
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 52 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej
- Infineon Type N-Kanal 297 A 135 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT020N13NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 52 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60R045CFD7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 137 A 200 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT067N20NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 8 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60T065S7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 212 A 135 V Forbedring PG-HSOG-8, IPT Nej IPTG029N13NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 331 A 120 V Forbedring PG-HSOG-8, IPT Nej IPTG017N12NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 297 A 135 V Forbedring PG-HSOG-8, IPT Nej IPTG020N13NM6ATMA1