Infineon N-Kanal, Effekttransistor, 70 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 137,18

(ekskl. moms)

Kr. 171,48

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 68,59Kr. 137,18
20 - 198Kr. 61,675Kr. 123,35
200 +Kr. 57,00Kr. 114,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-258
Producentens varenummer:
IPT60R037CM8XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

Effekttransistor

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

70A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

IPT

Emballagetype

PG-HSOF-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

37mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

390W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

79nC

Gennemgangsspænding Vf

900mV

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

JEDEC for Industrial Applications

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY

Infineon IPT seriens effekttransistor, 600 V maksimal drain source-spænding, 70 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPT60R037CM8XTMA1


Denne effekttransistor er en højspændings N-kanal MOSFET, der er designet til industriel kobling og strømkonverteringsopgaver. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er beregnet til overflademonterede enheder, hvor der kræves robust strømstyrke og høj spændingstolerance. Enheden er specificeret til industrielle JEDEC-anvendelser og er velegnet til miljøer, der kræver høj dissipation og pålidelig gate-styring.

Egenskaber og fordele:


• 600 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 70 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 37 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 390 W maks. effekttab giver mulighed for termisk overflade
• 79 nC typisk gate-ladning balancerer drev og skiftehastighed
• ±20 V gate-tolerance forenkler gate-drive-design

Anvendelser


• Velegnet til industrielle motordrev invertertrin
• Ideel til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Anvendes sammen med brotopologier i vekselrettere til vedvarende energi
• Kan bruges til svært skiftende industrielle strømmoduler
• Velegnet til DC/DC-konverteringstrin med høj strømstyrke

Hvilket temperaturområde kan den modstå under drift?


Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og passer til barske termiske miljøer og anvendelser med hævet kabinet.

Hvordan er enheden pakket til samling?


Den leveres i en 8-benet PG-HSOF-8-pakke til overflademontering, der er beregnet til printmontering med reflow og kompakte kortlayouter.

Hvilke gate- og kanalegenskaber påvirker drevkredsløb?


N-kanalforbedringsenheden har en typisk gate-ladning på 79 nC og en maksimal gate-til-kilde-mærkespænding på 20 V, hvilket informerer om valg af gate-driver og beskyttelsesmargener.

Hvordan påvirker den fremadgående spænding koblingens ydeevne?


En fremadgående spænding på 0,9 V bidrager til hurtig ledningstilkoblingsadfærd og indgår i beregninger af det samlede ledningstab under valg af enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.